[实用新型]一种晶圆级封装结构

说明书

本实用新型公开了一种晶圆级封装结构，包括：晶圆，晶圆包括层叠设置的衬底和功能层，功能层远离衬底的第一表面和与衬底接触的第二表面均设置有焊盘；衬底形成有至少一个穿透衬底的导电通孔，至少一个导电通孔与功能层第二表面的焊盘电连接；功能层的第一表面和衬底远离功能层的第一表面均具有电性导出结构。本实用新型实施例提供的晶圆级封装结构，通过在晶圆功能层的第一表面和第二表面设置焊盘，在晶圆衬底制作至少一个导电通孔，并利用导电通孔将功能层第二表面焊盘的电性导出晶圆，从而使得晶圆上下表面均可以与外界芯片或电路板等实现电性连接，解决了现有技术中单面布线的晶圆在三维封装中需要额外进行打线，增加制作工艺的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及电子封装领域，具体涉及一种晶圆级封装结构。

背景技术

随着电子产品向更薄、更轻、更高引脚密度、更低成本、系统集成方面发展，采用单颗功能芯片封装技术已经无法满足产业需求，而扇出晶圆级封装技术的出现为封装行业向低成本封装发展提供了契机。这样，扇出晶圆级技术目前正在发展成为下一代主要的封装技术。

目前，现有的晶圆封装一般均在衬底一侧进行布线，布线层和介质层数的增加无疑会使得晶圆的翘曲度增加，影响后续的封装可靠性；此外，单面布线的晶圆在空间利用率更高的三维堆叠、多层堆叠封装过程中无疑会需要额外进行打线或者制作导电柱等扇出型封装工艺，不仅增加了制作成本和工艺复杂性，同时也不利于封装密度的提高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种晶圆级封装结构，以解决现有技术中单面布线的晶圆在三维封装中需要额外进行打线，增加制作工艺的技术问题。

本实用新型提出的技术方案如下：

本实用新型实施例提供一种晶圆级封装结构，包括：晶圆，所述晶圆包括层叠设置的衬底和功能层，所述功能层远离衬底的第一表面和与衬底接触的第二表面均设置有焊盘；所述衬底形成有至少一个穿透所述衬底的导电通孔，至少一个所述导电通孔与所述功能层第二表面的焊盘电连接；所述功能层的第一表面和所述衬底远离所述功能层的第一表面均具有电性导出结构。

可选地，所述电性导出结构为焊球、金属凸点或导电胶中的任意一种。

可选地，晶圆级封装结构还包括：第一布线层，设置在所述功能层的第一表面，所述第一布线层的导线中的至少部分与所述功能层第一表面的焊盘电连接。

可选地，所述第一布线层包括多层层叠设置的金属布线层和介质层，所述第一布线层中的金属布线层与所述功能层的第一表面接触，所述第一布线层远离所述功能层的表面为介质层，所述介质层的表面具有第一开口结构，露出所述金属布线层。

可选地，晶圆级封装结构还包括：第二布线层，设置在所述衬底的第一表面，所述第二布线层的导线中的至少部分与至少一个所述导电通孔电连接。

可选地，所述第二布线层包括多层层叠设置的金属布线层和介质层，所述第二布线层中的金属布线层与所述衬底的第一表面接触，所述第二布线层远离所述衬底的表面为介质层，所述介质层的表面具有第二开口结构，露出所述金属布线层。

可选地。晶圆级封装结构还包括：氧化层，设置在所述导电通孔和所述衬底之间，所述氧化层覆盖所述衬底的第一表面。

可选地，所述导电通孔的轴向垂直所述功能层的第一表面。

可选地，所述导电通孔内填充导电金属柱。

可选地，所述导电金金属柱的材料为钛、钽、铬、钨、铜、铝、镍、金中的一种或多种。

本实用新型技术方案，具有如下优点：