[实用新型]一种晶圆级封装结构有效
| 申请号: | 201921106679.7 | 申请日: | 2019-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN210136865U | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
| 发明(设计)人: | 张凯;曹立强 | 申请(专利权)人: | 上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张琳琳 |
| 地址: | 200131 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶圆级 封装 结构 | ||
1.一种晶圆级封装结构,其特征在于,包括:
晶圆,所述晶圆包括层叠设置的衬底和功能层,所述功能层远离衬底的第一表面和与衬底接触的第二表面均设置有焊盘;所述衬底形成有至少一个穿透所述衬底的导电通孔,至少一个所述导电通孔与所述功能层第二表面的焊盘电连接;所述功能层的第一表面和所述衬底远离所述功能层的第一表面均具有电性导出结构。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述电性导出结构为焊球、金属凸点或导电胶中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,还包括:
第一布线层,设置在所述功能层的第一表面,所述第一布线层的导线中的至少部分与所述功能层第一表面的焊盘电连接。
4.根据权利要求3所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述第一布线层包括多层层叠设置的金属布线层和介质层,所述第一布线层中的金属布线层与所述功能层的第一表面接触,所述第一布线层远离所述功能层的表面为介质层,所述介质层的表面具有第一开口结构,露出所述金属布线层。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,还包括:
第二布线层,设置在所述衬底的第一表面,所述第二布线层的导线中的至少部分与至少一个所述导电通孔电连接。
6.根据权利要求5所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述第二布线层包括多层层叠设置的金属布线层和介质层,所述第二布线层中的金属布线层与所述衬底的第一表面接触,所述第二布线层远离所述衬底的表面为介质层,所述介质层的表面具有第二开口结构,露出所述金属布线层。
7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,还包括:
氧化层,设置在所述导电通孔和所述衬底之间,所述氧化层覆盖所述衬底的第一表面。
8.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述导电通孔的轴向垂直所述功能层的第一表面。
9.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述导电通孔内填充导电金属柱。
10.根据权利要求9所述的晶圆级封装结构,其特征在于,所述导电金金属柱的材料为钛、钽、铬、钨、铜、铝、镍、金中的一种或多种。
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