[实用新型]一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置

说明书

本实用新型公开了一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置，包括：旋转基座；第一喷嘴，所述第一喷嘴设置在所述旋转基座上；多个第二喷嘴，所述多个第二喷嘴设置在所述旋转基座的边缘处，围绕所述旋转基座中心成同心圆对称分布；晶圆支撑座，所述晶圆支撑座位于所述旋转基座上方，用于承载和/或夹持晶圆进行清洗；杯状集液与排液区，所述杯状集液与排液区构成清洗腔室的侧壁，用于防止化学品溅出，并收集排除采用化学品；进液装置，所述进液装置与所述第一喷嘴、第二喷嘴相连，用于向所述第一喷嘴、第二喷嘴提供清洗液体；以及排液装置，所述排液装置与所述杯状集液与排液区相连，用于排除残余的化学品。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置。

背景技术

在集成电路制造工艺中，湿法清洗是获得高质量产品的关键工艺之一。清洗设备也逐渐由批量清洗(Bench Clean)方式转变成单片清洗(Single Clean)方式，虽然清洗效率降低，但是清洗质量提高，进而提高良率。在单片清洗机台中，多腔室(Multi CUP)是一种晶圆清洗工艺过程中用来收集不同化学品废液，使其排入相对应管道的一种装置。该装置一旦被污染或者酸结晶就会导致晶圆边缘缺陷增加，从而良率下降。单片清洗(SingleClean)设备在工艺上，因酸结晶导致晶圆缺陷是非常严重的一项潜在问题，单片清洗(Single Clean)方式，常见的缺陷问题如图1所示，可以看出由于多腔室(Multi CUP)洁净度不佳，导致清洗后的晶圆边缘受到酸气影响，从而导致缺陷增加，影响了产品良率。

单片清洗(Single Clean)设备在晶圆进到腔室会经由工艺菜单(Recipe)步骤完成每一道清洗过程，每一个步骤代表不同酸种的使用，在现有机台共3层腔室，必须配合不同酸种进行切换以便将所对应的化学品废液能够正确且安全的排入相对应的管路。因多腔室(Multi CUP)会有动作上的变化，所以在切换期间会有一些残酸、残水的喷溅，并附着于腔室内缘上，从而产生化学品废液结晶，腔室内温度变化会使该结晶与新药液产生变化，进而造成晶圆一些缺陷问题发生。当缺陷发生后，必须将设备停机进行维护处理，如图2所示，这严重影响了机台产能效率，同时也降低良率。

为了克服现有的单片清洗(Single Clean)设备的多腔室(Multi CUP)边缘化学品废液结晶导致的产品良率以及停机维护产生的效率降低问题，本实用新型提出一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置，至少部分的解决了上述问题。

实用新型内容

为了克服现有的单片清洗(Single Clean)设备的多腔室(Multi CUP)边缘化学品废液结晶导致的产品良率以及停机维护产生的效率降低问题，根据本实用新型的一个实施例，提供一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置，包括：

旋转基座；

第一喷嘴，所述第一喷嘴设置在所述旋转基座上；

多个第二喷嘴，所述多个第二喷嘴设置在所述旋转基座的边缘处，围绕所述旋转基座中心成同心圆对称分布；

晶圆支撑座，所述晶圆支撑座位于所述旋转基座上方，用于承载和/或夹持晶圆进行清洗；

杯状集液与排液区，所述杯状集液与排液区构成清洗腔室的侧壁，用于防止化学品溅出，并收集排除采用化学品；

进液装置，所述进液装置与所述第一喷嘴、第二喷嘴相连，用于向所述第一喷嘴、第二喷嘴提供清洗液体；以及

排液装置，所述排液装置与所述杯状集液与排液区相连，用于排除残余的化学品。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一喷嘴设置在旋转基座靠近中心区域，用于向晶圆产品喷洒清洗液，同时也可以对清洗设备进行喷洒清洗。

在本实用新型的一个实施例中，具有多个第一喷嘴，且该多个第一喷嘴在所述旋转基座靠近中心位置成均匀分布。