[实用新型]一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置有效

专利信息
申请号: 201921081322.8 申请日: 2019-07-11
公开(公告)号: CN210040143U 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 颜超仁;陈章晏;郑涛;丁洋 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 31313 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 张东梅
地址: 223302 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 喷嘴 旋转基座 化学品 排液区 杯状 集液 晶圆 进液装置 排液装置 清洗腔室 支撑座 清洗 同心圆 本实用新型 对称分布 湿法工艺 边缘处 残余的 侧壁 夹持 溅出 承载
【权利要求书】:

1.一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置,包括:

旋转基座;

第一喷嘴,所述第一喷嘴设置在所述旋转基座上;

多个第二喷嘴,所述多个第二喷嘴设置在所述旋转基座的边缘处,围绕所述旋转基座中心成同心圆对称分布;

晶圆支撑座,所述晶圆支撑座位于所述旋转基座上方,用于承载和/或夹持晶圆进行清洗;

杯状集液与排液区,所述杯状集液与排液区构成清洗腔室的侧壁,用于防止化学品溅出,并收集排除采用化学品;

进液装置,所述进液装置与所述第一喷嘴、第二喷嘴相连,用于向所述第一喷嘴、第二喷嘴提供清洗液体;以及

排液装置,所述排液装置与所述杯状集液与排液区相连,用于排除残余的化学品。

2.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第一喷嘴设置在旋转基座靠近中心区域,用于向晶圆产品喷洒清洗液,同时也可以对清洗设备进行喷洒清洗。

3.如权利要求2所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,具有多个第一喷嘴,且该多个第一喷嘴在所述旋转基座靠近中心位置成均匀分布。

4.如权利要求2所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第一喷嘴具有多个均匀分布的喷射孔。

5.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第二喷嘴用于向清洗设备进行喷洒清洗,所述第二喷嘴的喷口为一排或多排成线性的洞。

6.如权利要求5所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第二喷嘴为喷射角度可调喷嘴,进一步包括:

设置在旋转基座上的喷嘴主体;

位于所述喷嘴主体内的进液管;以及

位于所述喷嘴主体背面的调节机构。

7.如权利要求5所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第二喷嘴为扇形,所述喷口设置在所述扇形的下凹处。

8.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述杯状集液与排液区具有2层或3层或4层或5层。

9.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述进液装置进一步包括进液管、调节阀和压力计;从而实现对第一喷嘴和/或第二喷嘴的液体供给,同时实现对液体流量、压力的调节控制。

10.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述排液装置进一步包括空气阀、气液分离箱、排气管道和排液管道;所述空气阀用于开启和关闭排液动作,所述气液分离箱可分离气体和液体避免污染产生,所述排气管道连接厂务特定废气处理管道,所述排液管道连接厂务特定废液处理管道。

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