[实用新型]一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置有效
申请号: | 201921081322.8 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN210040143U | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 颜超仁;陈章晏;郑涛;丁洋 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 31313 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 旋转基座 化学品 排液区 杯状 集液 晶圆 进液装置 排液装置 清洗腔室 支撑座 清洗 同心圆 本实用新型 对称分布 湿法工艺 边缘处 残余的 侧壁 夹持 溅出 承载 | ||
1.一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置,包括:
旋转基座;
第一喷嘴,所述第一喷嘴设置在所述旋转基座上;
多个第二喷嘴,所述多个第二喷嘴设置在所述旋转基座的边缘处,围绕所述旋转基座中心成同心圆对称分布;
晶圆支撑座,所述晶圆支撑座位于所述旋转基座上方,用于承载和/或夹持晶圆进行清洗;
杯状集液与排液区,所述杯状集液与排液区构成清洗腔室的侧壁,用于防止化学品溅出,并收集排除采用化学品;
进液装置,所述进液装置与所述第一喷嘴、第二喷嘴相连,用于向所述第一喷嘴、第二喷嘴提供清洗液体;以及
排液装置,所述排液装置与所述杯状集液与排液区相连,用于排除残余的化学品。
2.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第一喷嘴设置在旋转基座靠近中心区域,用于向晶圆产品喷洒清洗液,同时也可以对清洗设备进行喷洒清洗。
3.如权利要求2所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,具有多个第一喷嘴,且该多个第一喷嘴在所述旋转基座靠近中心位置成均匀分布。
4.如权利要求2所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第一喷嘴具有多个均匀分布的喷射孔。
5.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第二喷嘴用于向清洗设备进行喷洒清洗,所述第二喷嘴的喷口为一排或多排成线性的洞。
6.如权利要求5所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第二喷嘴为喷射角度可调喷嘴,进一步包括:
设置在旋转基座上的喷嘴主体;
位于所述喷嘴主体内的进液管;以及
位于所述喷嘴主体背面的调节机构。
7.如权利要求5所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述第二喷嘴为扇形,所述喷口设置在所述扇形的下凹处。
8.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述杯状集液与排液区具有2层或3层或4层或5层。
9.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述进液装置进一步包括进液管、调节阀和压力计;从而实现对第一喷嘴和/或第二喷嘴的液体供给,同时实现对液体流量、压力的调节控制。
10.如权利要求1所述的湿法工艺清洗腔室结晶的装置,其特征在于,所述排液装置进一步包括空气阀、气液分离箱、排气管道和排液管道;所述空气阀用于开启和关闭排液动作,所述气液分离箱可分离气体和液体避免污染产生,所述排气管道连接厂务特定废气处理管道,所述排液管道连接厂务特定废液处理管道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造