[实用新型]一种免用封装胶的LED芯片、封装器件

说明书

本实用新型公开了一种免用封装胶的LED芯片、封装器件，所述LED芯片包括衬底、设于衬底表面的发光结构、设于衬底背面的反射层、以及设于反射层上的附着工艺层，所述附着工艺层的组成元素与封装基板的组成元素为同族元素，在高温高压和石英震荡条件下，所述附着工艺层直接与封装基板结合，以将LED芯片与封装基板形成连接，不需要封装胶，可以省去点胶工艺，提高封装效率和成本。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种免用封装胶的LED芯片、封装器件。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

公开号为CN109735258A的专利公开了一种LED芯片的封装方法，包括如下步骤：S1、提供一LED支架，在LED支架上固定连接至少一个LED芯片；S2、将胶体材料与氟化物材料按比例混合均匀，制得高耐热性封装胶；S3、将发光材料与高耐热性封装胶混合均匀并去除气泡，制得荧光胶体；S4、将荧光胶体涂覆于LED支架、LED芯片表面，并烘烤固化。

在现有的LED芯片封装方法中，需要采用封装固晶机来完成。具体的，封装固晶机有两只摆臂，一支是用来点胶(在支架上)，一支用来抓取LED芯片到支架。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种免用封装胶的LED芯片，在芯片上设置一层附着工艺层，可与基板形成连接，可免去封装胶。

本实用新型还提供了一种封装器件，结构简单，可免去封装胶。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种免用封装胶的LED芯片，包括衬底、设于衬底表面的发光结构、设于衬底背面的反射层、以及设于反射层上的附着工艺层，所述附着工艺层将LED芯片与封装基板形成连接；

所述附着工艺层由含铝材料、含硅材料或含碳材料中的一种制成；

所述含铝材料为Al、AlN或Al₂O₃，所述含硅材料为SiO₂或SiN_x，所述含碳材料为石墨烯。

作为上述方案的改进，所述附着工艺层为多层结构，由若干个周期的Al层/AlN层结构组成，所述Al层设置在反射层和AlN层之间，所述AlN层设置在Al层和封装基板之间。

作为上述方案的改进，所述Al层的厚度比AlN层的厚度小5～30％，所述附着工艺层的形状为凹吸盘状，所述附着工艺层包括底层和凸起，所述凸起位于底层的两侧并沿着底层背向衬底向外延伸，所述底层两侧凸起的距离为d，所述衬底的长度为k，其中，d比k少5～10％。

作为上述方案的改进，所述附着工艺层的形状为凹吸盘状，所述附着工艺层包括底层和凸起，所述凸起位于底层的两侧并沿着底层背向衬底向外延伸，所述底层两侧凸起的距离为d，所述衬底的长度为k，其中，d比k少5～10％。

作为上述方案的改进，所述附着工艺层包括多条间隔的条状结构，位于两侧的条状结构与衬底侧边的距离为零，相邻两条条状结构的间距为D，所述条状结构的宽度为H，所述衬底的宽度为L，其中，D＝(0.1～0.25)*L，H＝(1.1～1.2)*D。

作为上述方案的改进，所述反射层为DBR反射层。

作为上述方案的改进，所述反射层由SiO₂和TiO₂交替形成。

相应地，本实用新型还提供了一种封装器件，包括上述所述的免用封装胶的LED芯片和封装基板，附着工艺层将LED芯片与封装基板形成连接。

作为上述方案的改进，所述封装基板为铝基板、氮化铝基板或陶瓷基板。