[实用新型]一种免用封装胶的LED芯片、封装器件

权利要求书

1.一种免用封装胶的LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底表面的发光结构、设于衬底背面的反射层、以及设于反射层上的附着工艺层，所述附着工艺层将LED芯片与封装基板形成连接；

所述附着工艺层由含铝材料、含硅材料或含碳材料中的一种制成；

所述含铝材料为Al、AlN或Al₂O₃，所述含硅材料为SiO₂或SiN_x，所述含碳材料为石墨烯。

2.如权利要求1所述的免用封装胶的LED芯片，其特征在于，所述附着工艺层为多层结构，由若干个周期的Al层/AlN层结构组成，所述Al层设置在反射层和AlN层之间，所述AlN层设置在Al层和封装基板之间。

3.如权利要求2所述的免用封装胶的LED芯片，其特征在于，所述Al层的厚度比AlN层的厚度小5～30％，所述附着工艺层的厚度为1～30μm。

4.如权利要求1所述的免用封装胶的LED芯片，其特征在于，所述附着工艺层的形状为凹吸盘状，所述附着工艺层包括底层和凸起，所述凸起位于底层的两侧并沿着底层背向衬底向外延伸，所述底层两侧凸起的距离为d，所述衬底的长度为k，其中，d比k少5～10％。

5.如权利要求1所述的免用封装胶的LED芯片，其特征在于，所述附着工艺层包括多条间隔的条状结构，位于两侧的条状结构与衬底侧边的距离为零，相邻两条条状结构的间距为D，所述条状结构的宽度为H，所述衬底的宽度为L，其中，D＝(0.1～0.25)*L，H＝(1.1～1.2)*D。

6.如权利要求1所述的免用封装胶的LED芯片，其特征在于，所述反射层为DBR反射层。

7.如权利要求6所述的免用封装胶的LED芯片，其特征在于，所述反射层由SiO₂和TiO₂交替形成。

8.一种封装器件，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的免用封装胶的LED芯片和封装基板，附着工艺层将LED芯片与封装基板形成连接。

9.如权利要求8所述的封装器件，其特征在于，所述封装基板为铝基板、氮化铝基板或陶瓷基板。