[实用新型]移相全桥副边全波整流电路

说明书

本实用新型公开了一种移相全桥副边全波整流电路，涉及开关电源技术领域，旨在解决现有的移相全桥副边全波整流电路工作稳定性差的问题。其技术方案要点是，MOS管Q1的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q3，MOS管Q2的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q4；泄放MOS管Q3的栅级与第一隔离驱动器相连，泄放MOS管Q4的栅级与第二隔离驱动器相连；第一隔离驱动器用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q1和泄放MOS管Q3，第二隔离驱动器用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q2和泄放MOS管Q4。提高了整流电路的工作稳定性。

技术领域

本实用新型涉及开关电源技术领域，尤其是涉及一种移相全桥副边全波整流电路。

背景技术

为了满足宽输入电压范围要求，电源只能通过选用硬开关PWM技术；为实现高功率密度，电源只能通过采用高的开关频率，来减小磁性器件的体积，满足小型化要求；而满足大的输出电流要求，电源一般采用副边同步整流技术，通过降低导通损耗，来进一步提高电源的高效率。

现有授权公告号为CN204794706U的中国专利公开了一种移相全桥同步整流电路，其包括移相全桥PWM控制器、第一时序控制器、第一隔离驱动器、第二时序控制器、第二隔离驱动器、MOS管A、MOS管B、MOS管C、MOS管D、MOS管SR1、MOS管SR2、变压器T1，由移相全桥控制器产生的MOS管A和MOS管D脉宽驱动信号经过第一隔离驱动器放大后对MOS管SR1进行同步驱动，由移相全桥控制器产生的MOS管B和MOS管C脉宽驱动信号经过第二隔离驱动器放大后对MOS管SR2进行同步驱动，降低了电路的导通损耗。

但是，上述中的现有技术方案存在以下缺陷：由第一隔离驱动器到MOS管SR1的线路和由第二隔离驱动器到MOS管SR2的线路均有一定的距离（驱动线路与工作线路距离），线路比较长，所以会产生感抗，从而会产生振荡高频电压，容易出现MOS管SR1和MOS管SR2已经关断而又因为高频电压而打开的情况，从而使得副边的两个主功率MOS（MOS管SR1和MOS管SR2）不能可靠关断，由此而导致了整流电路的工作稳定性差的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种移相全桥副边全波整流电路，其具有能够提高整流电路工作稳定性的效果。

本实用新型的上述实用新型目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种移相全桥副边全波整流电路，包括变压器、输出端、MOS管Q1、MOS管Q2、低通滤波电路、移相全桥PWM控制器、第一隔离驱动器和第二隔离驱动器；所述第一隔离驱动器和第二隔离驱动器均与移相全桥PWM控制器相连，所述MOS管Q1的栅级与第一隔离驱动器相连，所述MOS管Q2的栅级与第二隔离驱动器相连；所述MOS管Q1的漏级与变压器的副边第一端相连，所述MOS管Q2的漏级与变压器的副边第二端相连，所述低通滤波电路分别与变压器的中心抽头、MOS管Q1的源级、MOS管Q2的源级、输出端相连；所述MOS管Q1的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q3，所述MOS管Q2的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q4；所述泄放MOS管Q3的栅级与第一隔离驱动器相连，所述泄放MOS管Q4的栅级与第二隔离驱动器相连；所述第一隔离驱动器用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q1和泄放MOS管Q3，所述第二隔离驱动器用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q2和泄放MOS管Q4。

通过采用上述技术方案，MOS管Q1和MOS管Q2交替工作，即交替打开。其中，第一隔离驱动器控制MOS管Q1关断时，会同时控制泄放MOS管Q3打开，使MOS管Q1的栅级与地相连，从而快速将高频电压导走，并快速将MOS管Q1的栅级电压拉低，使MOS管Q1可靠关断。在第二隔离驱动器控制MOS管Q2关断时，会同时控制泄放MOS管Q4打开，使MOS管Q2的栅级与地相连，从而快速将相应的高频电压导走，并快速将MOS管Q2的栅级电压拉低，使MOS管Q2可靠关断。泄放MOS管Q3和泄放MOS管Q4的设置，提高了整流电路的工作稳定性。