[实用新型]移相全桥副边全波整流电路

权利要求书

1.一种移相全桥副边全波整流电路，包括变压器(1)、输出端(2)、MOS管Q1、MOS管Q2、低通滤波电路(3)、移相全桥PWM控制器(4)、第一隔离驱动器(5)和第二隔离驱动器(6)；所述第一隔离驱动器(5)和第二隔离驱动器(6)均与移相全桥PWM控制器(4)相连，所述MOS管Q1的栅级与第一隔离驱动器(5)相连，所述MOS管Q2的栅级与第二隔离驱动器(6)相连；所述MOS管Q1的漏级与变压器(1)的副边第一端相连，所述MOS管Q2的漏级与变压器(1)的副边第二端相连，所述低通滤波电路(3)分别与变压器(1)的中心抽头、MOS管Q1的源级、MOS管Q2的源级、输出端(2)相连；其特征在于：

所述MOS管Q1的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q3，所述MOS管Q2的栅级与地之间连接有泄放MOS管Q4；所述泄放MOS管Q3的栅级与第一隔离驱动器(5)相连，所述泄放MOS管Q4的栅级与第二隔离驱动器(6)相连；所述第一隔离驱动器(5)用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q1和泄放MOS管Q3，所述第二隔离驱动器(6)用于输出两个互补的PWM信号分别至MOS管Q2和泄放MOS管Q4。

2.根据权利要求1所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述MOS管Q1、MOS管Q2、泄放MOS管Q3和泄放MOS管Q4均为NMOS开关管。

3.根据权利要求2所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述MOS管Q1连接有第一RCD吸收电路(7)，所述MOS管Q2连接有第二RCD吸收电路(8)；

所述第一RCD吸收电路(7)包括两个并联的第一二极管、两个并联的第一电容和两个并联的第一电阻，两个所述第一二极管的阳极均与MOS管Q1的漏级相连，两个所述第一二极管的阴极均与两个第一电容的一极以及两个第一电阻的一端相连；两个所述第一电容的另一极均与MOS管Q1的源级相连，两个第一电阻的另一端均与低通滤波电路(3)相连；

所述第二RCD吸收电路(8)包括两个并联的第二二极管、两个并联的第二电容和两个并联的第二电阻，两个所述第二二极管的阳极均与MOS管Q2的漏级相连，两个所述第二二极管的阴极均与两个第二电容的一极以及两个第二电阻的一端相连；两个所述第二电容的另一极均与MOS管Q2的源级相连，两个第二电阻的另一端均与低通滤波电路(3)相连。

4.根据权利要求3所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述第一RCD吸收电路(7)还包括第一TVS二极管，所述第二RCD吸收电路(8)还包括第二TVS二极管；所述第一TVS二极管的阳极与MOS管Q1的源级相连，所述第一TVS二极管的阴极与第一二极管的阴极相连；所述第二TVS二极管的阳极与MOS管Q2的源级相连，所述第二TVS二极管的阴极与第二二极管的阴极相连。

5.根据权利要求3所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述低通滤波电路(3)包括电感、滤波电容、电解电容和滤波电阻，所述电感的一端与变压器(1)的中心抽头连接，所述电感的另一端与第一RCD吸收电路(7)、第二RCD吸收电路(8)、滤波电容的一极、电解电容的正极以及滤波电阻的一端均连接，所述滤波电阻的另一端连接至输出端(2)，所述滤波电容的另一极以及电解电容的负极均接地。

6.根据权利要求5所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述滤波电阻由两个第三电阻并联组成。

7.根据权利要求5所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述滤波电阻与输出端(2)之间串接有防反灌电路。

8.根据权利要求7所述的移相全桥副边全波整流电路，其特征在于：所述防反灌电路包括防反MOS管Q5和驱动电路(9)，所述防反MOS管Q5为NMOS管；所述防反MOS管Q5的源级连接至滤波电阻，所述防反MOS管Q5的漏级连接至输出端(2)；所述驱动电路(9)与防反MOS管Q5的源级、漏级、栅级均连接，且所述驱动电路(9)用于根据防反MOS管Q5的源级和漏级之间的电压控制防反MOS管Q5的导通和关断。