[实用新型]一种半导体设备盖板装置部件洗净超高压保护治具有效
申请号: | 201921068220.2 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN210450215U | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 王永东 | 申请(专利权)人: | 安徽富乐德科技发展有限公司 |
主分类号: | B08B13/00 | 分类号: | B08B13/00 |
代理公司: | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 244000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 盖板 装置 部件 洗净 超高压 保护 | ||
一种半导体设备盖板装置部件洗净超高压保护治具,包括正面保护面,所述正面保护面的内部开设有第一通孔,所述正面保护面靠近第一通孔的一侧固定连接有正面密封环,所述第一通孔的直径与正面密封环的内径相同,所述正面保护面的顶部设置有待洗净部件。该半导体设备盖板装置部件洗净超高压保护治具,治具的材质选用优质不锈钢能够达到比耐高温胶带更高的耐热性,因是不锈钢治具,表面不会留下残胶,污垢等副产物,只需经过适当的清洗就可以使表面光亮如新,达到再使用的要求,底部设置有正面保护面,可以在超高压时可防止震动对部品底部的磨损,达到了可重复使用,节省人力及物料成本的目的。
技术领域
本实用新型涉及一种洗净超高压遮蔽治具,具体为一种半导体设备盖板装置部件洗净超高压保护治具。
背景技术
目前在对半导体设备部件进行洗净再生过程中,AL部件的TI熔射无法用化洗的方法处理,只能采用超高压方法处理,一般超高压时无需保护部品,但部分部品因超高压时易损害,易损害区域需要进行遮蔽保护,因此需要改进。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种半导体设备盖板装置部件洗净超高压保护治具,通过设置两个保护面,解决了上述背景技术中提出的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种半导体设备盖板装置部件洗净超高压保护治具,包括正面保护面,所述正面保护面的内部开设有第一通孔,所述正面保护面靠近第一通孔的一侧固定连接有正面密封环,所述第一通孔的直径与正面密封环的内径相同,所述正面保护面的顶部设置有待洗净部件,所述待洗净部件的顶部设置有反面保护面,所述反面保护面的内部开设有第二通孔,所述反面保护面靠近第二通孔的一侧固定连接有反面密封环,所述反面密封环的内径与第二通孔的直径相同,所述待洗净部件的直径与正面保护面的直径相同,所述待洗净部件的直径与反面保护面的直径相同。
可选的,所述正面保护面的直径为800mm,所述正面密封环的外径为491mm,所述正面密封环的内径为467mm。
可选的,所述正面保护面的厚度为12mm,所述正面密封环的厚度为28mm。
可选的,所述反面保护面的直径为800mm,所述反面密封环的外径为363mm,所述反面密封环的内径为349mm。
可选的,所述反面保护面的厚度为12mm,所述反面密封环的厚度为12mm。
可选的,所述正面保护面的平面度误差值为0.2mm,所述正面密封环的平面度误差值为0.1mm。
可选的,所述反面保护面的平面度误差值为0.2mm,所述反面密封环的平面度误差值为0.1mm。
可选的,所述正面保护面、正面密封环、反面保护面和反面密封环的材质均为优质不锈钢。
(三)有益效果
本实用新型提供了一种半导体设备盖板装置部件洗净超高压保护治具,具备以下有益效果:
1、通过设置两个保护面和两个密封环,正面保护面、正面密封环、反面保护面和反面密封环的材质均为优质不锈钢,治具的材质选用优质不锈钢能够达到比耐高温胶带更高的耐热性,洗净超高压遮蔽保护治具可以重复利用,因是不锈钢治具,表面不会留下残胶,污垢等副产物,只需经过适当的清洗就可以使表面光亮如新,达到再使用的要求,底部设置有正面保护面,可以在超高压时可防止震动对部品底部的磨损,达到了可重复使用,节省人力及物料成本的目的。
2、通过设置两个保护面,正面保护面靠近第一通孔的一侧固定连接有正面密封环,反面保护面靠近第二通孔的一侧固定连接有反面密封环,正面保护面与反面保护面可以对AL部件PIN区域进行有效的遮蔽与保护,减小LID部品上的PIN及O-RING密封区域损害的风险。
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