[实用新型]用于主板的上电自启动电路

权利要求书

1.一种用于主板的上电自启动电路，其特征在于：包括第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第三N沟道MOS管(Q3)、第四N沟道MOS管(Q4)、第五N沟道MOS管(Q5)以及逻辑芯片(U1)，所述第一N沟道MOS管(Q1)和第四N沟道MOS管(Q4)的栅极并联于南桥芯片ACPI控制器的RSMRST信号引脚，所述第一N沟道MOS管(Q1)的漏极与所述第二N沟道MOS管(Q2)的栅极之间并联有第一二极管(D1)、第三电阻(R3)，所述第二N沟道MOS管(Q2)的漏极电连接于所述逻辑芯片(U1)的第一输入引脚，所述第四N沟道MOS管(Q4)的漏极与所述第五N沟道MOS管(Q5)的栅极之间并联有第二二极管(D2)、第七电阻(R7)，所述第五N沟道MOS管(Q5)的漏极电连接于所述逻辑芯片(U1)的第二输入引脚，所述逻辑芯片(U1)的输出引脚电连接于所述第三N沟道MOS管(Q3)的栅极，所述第三N沟道MOS管(Q3)的漏极电连接于南桥芯片ACPI控制器的PWRBTN信号引脚，所述第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第四N沟道MOS管(Q4)和第五N沟道MOS管(Q5)的源极接地、漏极电连接有第一电源，所述第三N沟道MOS管(Q3)的源极接地、漏极电连接有第二电源。

2.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述第一二极管(D1)导通方向为所述第一N沟道MOS管(Q1)的漏极向第二N沟道MOS管(Q2)的栅极方向导通。

3.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述第二二极管(D2)导通方向为所述第四N沟道MOS管(Q4)的漏极向第五N沟道MOS管(Q5)的栅极方向导通。

4.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述第一电源为5V直流电，所述第二电源为3.3V直流电。

5.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述第二N沟道MOS管(Q2)栅极通过第二电容(C2)接地。

6.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述第五N沟道MOS管(Q5)栅极通过第三电容(C3)接地。

7.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述逻辑芯片(U1)电源引脚并联有所述第一电源以及第一电容(C1)，所述第一电容(C1)接地，所述逻辑芯片(U1)接地引脚接地。

8.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述逻辑芯片(U1)为异或逻辑门。

9.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第四N沟道MOS管(Q4)和第五N沟道MOS管(Q5)漏极分别通过第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第五电阻(R5)和第六电阻(R6)电连接于所述第一电源。

10.根据权利要求1所述的上电自启动电路，其特征在于：所述第三N沟道MOS管(Q3)通过第四电阻(R4)电连接于所述第二电源。