[实用新型]一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚

说明书

本实用新型公开了一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚，包括坩埚主体，坩埚主体的内腔中设置有挡板，挡板将内腔分隔为较大的主体腔以及较小的富镓腔，挡板的顶端与坩埚主体的开口端齐平，挡板的底端与坩埚主体的底部之间形成有连通主体腔与富镓腔的间隙，在应用时，砷化镓从主体腔远离富镓腔的一端按照由远及近、由上到下的方向逐渐冷却结晶，对流动的镓产生推动作用，促使其从间隙进入富镓腔中，当结晶完成后，挡板直接将富镓段与砷化镓间隔分开，在取出时就可使富镓段直接从砷化镓结晶上断开，避免二次切割加工，从而达到减少加工损耗，提高效率，降低人工成本的目的，同时富镓段未受到任何加工污染，还可以继续回炉使用，减少了浪费。

技术领域

本实用新型涉及半导体多晶合成技术领域，特别涉及一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚。

背景技术

目前砷化镓多晶合成主要是使用氮化硼舟，使用的是水平法砷过量的合成方式，随着冷却的进行，富镓残留聚集在砷化镓一端，所以每次合成完毕，砷化镓都必须要分段切割才能投入下一工序，而且每次在砷化镓上面切割富镓的位置都基本一致，这样的加工过程对砷化镓有损耗，还影响效率。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚，以避免对砷化镓晶体的二次加工，减少加工损耗，提高效率，降低人工成本。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚，包括坩埚主体，所述坩埚主体的内腔中设置有挡板，所述挡板将所述内腔分隔为较大的主体腔以及较小的富镓腔，所述挡板的顶端与所述坩埚主体的开口端齐平，所述挡板的底端与所述坩埚主体的底部之间形成有间隙，所述主体腔与所述富镓腔通过所述间隙连通。

优选地，所述坩埚主体的内腔从底部到开口端尺寸渐扩。

优选地，所述坩埚主体的内腔的表面为圆滑过渡的曲面。

优选地，所述坩埚主体包括横截面为弧形的主体段以及设置于所述主体段两端的四分之一球形段。

优选地，所述挡板设置于所述主体段靠近两个所述四分之一球形段中的一端的端部。

优选地，所述挡板垂直于所述坩埚主体的长度方向。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚，包括坩埚主体，坩埚主体的内腔中设置有挡板，挡板将内腔分隔为较大的主体腔以及较小的富镓腔，挡板的顶端与坩埚主体的开口端齐平，挡板的底端与坩埚主体的底部之间形成有间隙，主体腔与富镓腔通过间隙连通，在应用时，砷化镓从主体腔远离富镓腔的一端按照由远及近、由上到下的方向逐渐冷却结晶，对流动的镓产生推动作用，促使其从挡板与坩埚主体的间隙进入富镓腔中，这样当结晶完成后，挡板直接将富镓腔中的富镓段与主体腔中的砷化镓间隔分开，在取出时就可使富镓段直接从砷化镓结晶上断开，避免二次切割加工，从而达到减少加工损耗，提高效率，降低人工成本的目的，同时富镓段未受到任何加工污染，还可以继续回炉使用，减少了浪费。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的砷化镓多晶合成用舟状坩埚的轴测图；

图2为本实用新型实施例提供的砷化镓多晶合成用舟状坩埚的主视图；

图3为本实用新型实施例提供的砷化镓多晶合成用舟状坩埚的剖视图。

图中：

1为坩埚主体；101为主体段；102、103为四分之一球形段；2为挡板。