[实用新型]一种高频导波检测能力验证对比试块

权利要求书

1.一种高频导波检测能力验证对比试块，其特征在于，包括截面呈圆环形的试块，所述试块的内壁设有第一刻槽区和第二刻槽区，所述第一刻槽区内包括若干沿所述试块内壁倾斜布置的第一矩形刻槽，所述第二刻槽区内包括若干沿所述试块内壁倾斜且相互重叠布置的第二刻槽，所述第一矩形刻槽与所述第二刻槽的倾斜方向相反。

2.根据权利要求1所述的一种高频导波检测能力验证对比试块，其特征在于，所述第一矩形刻槽的深度沿倾斜的方向逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的一种高频导波检测能力验证对比试块，其特征在于，所述第二刻槽的深度沿倾斜的方向逐渐增大。

4.根据权利要求2所述的一种高频导波检测能力验证对比试块，其特征在于，所述第一矩形刻槽的长度相同。

5.根据权利要求3所述的一种高频导波检测能力验证对比试块，其特征在于，所述第二刻槽的长度相同。

6.根据权利要求4所述的一种高频导波检测能力验证对比试块，其特征在于，所述第一矩形刻槽的深度沿倾斜的方向依次为1.5mm、1.0mm、0.8mm、0.5mm、0.3mm、0.2mm、0.1mm。

7.根据权利要求5所述的一种高频导波检测能力验证对比试块，其特征在于，所述第二刻槽的深度沿倾斜的方向依次为0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.8mm、1.0mm。

8.根据权利要求1所述的一种高频导波检测能力验证对比试块，其特征在于，所述第一矩形刻槽和所述第二刻槽的长度均为5mm，所述第一矩形刻槽和所述第二刻槽的宽度均为1mm，所述试块的长度为500mm、宽度为350mm和壁厚为15mm，位于所述第一刻槽区最上端的所述第一矩形刻槽与所述试块顶部的边沿距离为50mm，位于所述第二刻槽区最上端的所述第二刻槽与所述试块顶部的边沿距离为50mm。