[实用新型]一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置有效
申请号: | 201920997386.6 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN210529058U | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 吴啸;范波;郭兴星;徐帅 | 申请(专利权)人: | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/27;H01P3/12;H01P1/30 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 贾东东 |
地址: | 450000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波导 组件 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
本实用新型涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置,波导组件包括波导本体,波导本体用于布置在调配器和模式转换器之间以传导微波;波导本体的外侧壁上开设有冷却液槽,冷却液槽上密封安装有槽盖板以形成冷却液腔,波导组件还包括与冷却液腔连通的冷却液进口和冷却液出口,通过在冷却液腔内注入冷却液以对波导本体进行冷却。温度较低的波导本体可以通过热传递的方式对调配器进行降温,确保调配器保持较高的工作性能,同时也就使得使用该波导组件的微波等离子体化学气相沉积装置保持较高的工作性能。
技术领域
本实用新型涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置。
背景技术
微波等离子体化学气相沉积(Microwave plasma chemical vapor deposition)简称MPCVD,是制备高质量金刚石制品最有效的方法,现已成为高速度、大面积、高质量金刚石薄膜制备的首选方法。按照国际管制条例,主要存在两种工业用MPCVD设备,分别为:微波频率2.45GHz,6-8kW的低功率MPCVD设备和微波频率915MHz,60-100kW的高功率MPCVD设备。在结构上,沿微波的传输路线,MPCVD设备包括用于产生微波的微波发生器、调配器、用于传输微波的波导、模式转换器、谐振腔等。
如,授权公告号为CN104726850B的中国发明专利公开的一种微波等离子体化学气相沉积设备,该设备在工作时可以产生频率为915MHz的微波,其具有沉积面积大,生产效率高的特点。但是,微波频率为915MHz的高功率MPCVD设备在运行过程中,传输的微波能量大,会导致调配器温度较高,影响调配器的工作性能,进而影响整个MPCVD设备制备金刚石薄膜的效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种波导组件,以解决现有技术中的微波等离子体化学气相沉积装置运行过程中其调配器温度较高而影响其工作性能的的技术问题。本实用新型的目的还在于提供一种微波等离子体化学气相沉积装置,以解决现有技术中的微波等离子体化学气相沉积装置运行过程中其调配器温度较高而影响整个微波等离子体化学气相沉积装置性能,而导致微波等离子体化学气相沉积装置工作效率低的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型中波导组件采用如下技术方案:
一种波导组件,包括:波导本体,用于布置在调配器和模式转换器之间以传导微波;波导本体的外侧壁上开设有冷却液槽,冷却液槽上密封安装有槽盖板以形成冷却液腔,波导组件还包括与所述冷却液腔连通的冷却液进口和冷却液出口,通过在冷却液腔内注入冷却液以对波导本体进行冷却。
本实用新型的有益效果在于:在波导本体的外侧壁上设置冷却液腔,通过在冷却液腔内注入冷却液可以对波导本体进行冷却,降低波导本体自身的温度,由于波导本体设置在调配器和模式转换器之间,那么,温度较低的波导本体就可以通过热传导的方式对调配器进行降温,避免调配器因温度较高而影响其工作性能。
进一步地,所述波导本体为矩形管,波导本体包括分体拼装在一起的上波导板、下波导板、左波导板和右波导板,其中至少一个波导板上开设有所述冷却液槽。
有益效果:波导本体包括分体拼装在一起的上波导板、下波导板、左波导板和右波导板,那么,生产过程中,可以针对每一个单个的波导本体进行冷却液槽的加工,使得波导本体上的冷却液槽加工起来更加方便。
进一步地,任意拼装的两波导板的拼装重叠位置处设有对应贯通的螺栓安装孔,通过紧固装配在所述螺栓安装孔中的紧固螺栓将各波导板固定装配在一起以形成所述的波导本体。
有益效果:在任意拼装的两波导板的拼装重叠位置处设置对应贯通的螺栓安装孔,使得整个波导本体的结构更加紧凑,同时,采用紧固螺栓将各波导板固定在一起,方便各波导板的拆装。
进一步地,任意拼装在一起的两波导板上的所述螺栓安装孔沿波导本体轴向依次均布有多个。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的