[实用新型]改善气体分布的沉积室及MPCVD装置

说明书

本实用新型属于微波等离子体化学气相沉积技术领域，具体涉及一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置。沉积室包括基部、外罩体及沉积台；所述外罩体密封安装在基部上，以与所述基部围成反应腔；所述沉积台，设置在基部的朝向反应腔的一侧；所述基部上设有与所述反应腔连通的进气通道和排气通道；改善气体分布的沉积室还包括处于外罩体内侧、并向反应腔上部延伸的导气通道；所述导气通道与所述进气通道对接连通；所述导气通道上部与反应腔连通，以将进气通道输入的气体引导至反应腔上部。导气通道将进入沉积室内的气体向上引导，确保气体在从排气通道排出前经过沉积台，提高气体的利用率，同时提高沉积装置的反应效率。

技术领域

本实用新型属于微波等离子体化学气相沉积技术领域，具体涉及一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置。

背景技术

微波等离子体化学气相沉积（Microwave plasma chemical vapor deposition）简称MPCVD，是将微波发生器产生的微波用波导管经隔离器进入沉积室，激励沉积室中的气体分子电离产生等离子体，以在沉积室中基片表面反应并生成固态物质薄膜，进而沉积得到固体材料的工艺技术。

如授权公告号为CN106987827B的中国发明专利公开的一种等离子体化学气相沉积微波谐振腔及装置，该装置的沉积室由频率调谐板和密封扣设在频率调谐板上的石英钟罩介质窗口围成，由于石英材料脆性大，不易开口，所以，沉积室的进气口和出气口均开设在频率调谐板上。由于进气口和出气口均设置在频率调谐板上，极易导致从进气口进入沉积室内的气体还未充分反应便从出气口中排出，并在进气口和出气口之间形成扰动气流，造成沉积室中的气体不能均匀充分地分布在基台表面的区域，使得基台表面无法形成均匀的、高质量的沉积薄膜，并直接降低整个装置的工作效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种改善气体分布的沉积室，以解决现有技术中沉积室进气口和出气口均设置在底板上而导致气体在沉积室的基台表面分布不均的问题。本实用新型的目的还在于提供一种MPCVD装置，以解决现有技术中化学气相沉积装置的沉积室的进气口和出气口均设置在底板上，气体在沉积室内无法充分反应而影响整个化学气相沉积装置反应效率的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型中改善气体分布的沉积室采用如下技术方案：

一种改善气体分布的沉积室，包括基部、外罩体及沉积台；所述外罩体密封安装在基部上，以与所述基部围成反应腔；所述沉积台，设置在基部的朝向反应腔的一侧；所述基部上设有与所述反应腔连通的进气通道和排气通道；改善气体分布的沉积室还包括处于外罩体内侧、并向反应腔上部延伸的导气通道；所述导气通道与所述进气通道对接连通；所述导气通道上部与反应腔连通，以将进气通道输入的气体引导至反应腔上部。

本实用新型的有益效果在于：由于导气通道与进气通道连通且向外罩体上部延伸，那么，通过进气通道向反应腔内输入的气体会在导气通道的引导下，向外罩体的上部流动，而由于排气通道设置在基部上，在外罩体的上部和底部之间形成了压力差，在压力差的作用下，气体从外罩体的上部向下流动，落在沉积台上，而后才从排气通道中排出。由此确保了进入沉积室内的气体能够尽可能全面地经过沉积台，在沉积台上相应的表面上反应并生成固态物质薄膜，提高气体的利用率，避免从进气通道进入反应腔内的气体直接从排气通道中排出而造成的气体反应不充分。

进一步地，所述导气通道为沿外罩体周向延伸的环形通道或沿外罩体周向间隔均布多个。

有益效果：导气通道设置为沿外罩体周向延伸的环形通道或沿周向间隔分布多个，能够使的经由导气通道进入反应腔内的气体在反应腔内分布的更加均匀，同时，使得从导气通道的出气口流出的气体能够彼此对冲，促进气体向下流动到达沉积台所在位置。

进一步地，所述外罩体内侧设有轴向沿上下方向延伸的内环套，内环套与外罩体间隔布置以形成所述的环形通道，所述排气通道的进气口位于内环套的内侧。