[实用新型]改善气体分布的沉积室及MPCVD装置

权利要求书

1.一种改善气体分布的沉积室，包括基部、外罩体及沉积台；

所述外罩体密封安装在基部上，以与所述基部围成反应腔；

所述沉积台，设置在基部的朝向反应腔的一侧；

所述基部上设有与所述反应腔连通的进气通道和排气通道；

其特征是：

改善气体分布的沉积室还包括处于外罩体内侧、并向反应腔上部延伸的导气通道；

所述导气通道与所述进气通道对接连通；

所述导气通道上部与反应腔连通，以将进气通道输入的气体引导至反应腔上部。

2.根据权利要求1所述的改善气体分布的沉积室，其特征是，所述导气通道为沿外罩体周向延伸的环形通道或沿外罩体周向间隔均布多个。

3.根据权利要求2所述的改善气体分布的沉积室，其特征在于：所述外罩体内侧设有轴向沿上下方向延伸的内环套，内环套与外罩体间隔布置以形成所述的环形通道，所述排气通道的进气口位于内环套的内侧。

4.根据权利要求3所述的改善气体分布的沉积室，其特征是，所述外罩体上部的径向尺寸由底向顶逐渐变小，内环套上部的径向尺寸也由底向顶逐渐变小。

5.根据权利要求4所述的改善气体分布的沉积室，其特征是，所述外罩体上部为半球形，内环套上部为削顶半球形。

6.根据权利要求3-5任意一项所述的改善气体分布的沉积室，其特征是，所述内环套的材质为石英或蓝宝石。

7.根据权利要求3-5任意一项所述的改善气体分布的沉积室，其特征在于，所述内环套和基部一体或分体设置。

8.一种MPCVD装置，包括微波发生器、模式转换器和谐振腔，谐振腔中设有沉积室，其特征是，所述沉积室为权利要求1-7任意一项中所述的改善气体分布的沉积室。