[实用新型]波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置有效
申请号: | 201920996485.2 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN211005615U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 郭兴星;吴啸;徐帅;常豪锋 | 申请(专利权)人: | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/27 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 贾东东 |
地址: | 450000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 组件 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
本实用新型涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置,波导组件包括引风管段,用于设置在微波发生器和模式转换器之间,引风管段侧壁上设置有引风通道,用于将引风管段内腔和外界进行连通,还包括风机,与引风通道对接,用于在引风通道处向引风管段内腔中送风,或者从引风管段内腔中吸风,以在波导内腔中形成气流,引风管段内固设有透波挡风板,用于阻挡气流流向微波发生器。工作时,通过风机的送风或吸风,使得外界冷空气能够进入装置内对装置内的核心部件进行冷却,确保装置能够稳定地工作。
技术领域
本实用新型涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置。
背景技术
微波等离子体化学气相沉积(Microwave plasma chemical vapor deposition)简称MPCVD,是制备高质量金刚石制品最有效的方法,现已成为高速度、大面积、高质量金刚石薄膜制备的首选方法。按照国际管制条例,主要存在两种工业用MPCVD设备,分别为:微波频率2.45GHz,6-8kW的低功率MPCVD设备和微波频率915MHz,60-100kW的高功率MPCVD设备。
如,授权公告号为CN104726850B的中国发明专利公开的一种微波等离子体化学气相沉积设备,该设备在工作时可以产生频率为915MHz的微波,其具有沉积面积大,生产效率高的特点。但是,微波频率为915MHz的高功率MPCVD设备在运行过程中,传输的微波能量大,导致转换器和谐振腔等核心部件温度较高,不仅不利于高速度、高质量金刚石制品的沉积,还会降低相关零部件的寿命对设备运行的稳定性造成不利影响。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种波导组件,以解决现有技术中的微波等离子体化学气相沉积装置运行过程中其核心部件容易出现温度过高而导致微波等离子体化学气相沉积装置运行状态不稳的技术问题。本实用新型的目的还在于提供一种微波等离子体化学气相沉积装置,以解决现有技术中的微波等离子体化学气相沉积装置运行过程中其核心部件容易出现温度过高而导致微波等离子体化学气相沉积装置运行状态不稳的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型中波导组件采用如下技术方案:
一种波导组件,包括引风管段,布置在在微波发生器和模式转换器之间以传输微波,引风管段侧壁上设置有引风通道,用于将引风管段内腔和外界进行连通,还包括风机,与引风通道对接,用于在引风通道处向引风管段内腔中送风,或者从引风管段内腔中吸风,以在引风管段内腔中形成冷却气流,引风管段内固设有透波挡风板,用于阻挡气流流向微波发生器。
本实用新型的有益效果在于:布置在微波发生器和模式转换器之间的波导组件的侧壁上开设引风通道,且引风通道对接有风机,当风机工作时,将外界冷空气吹至引风管段的内腔内,冷空气会经引风管段内腔流至模式转换器,对模式转换器、谐振腔等部件进行降温,同时,引风管段的内腔中又设置有透波挡风板,透波挡风板不会对微波发生器产生的微波造成阻碍,同时又可以对经引风通道流入引风管段内腔中的冷却气流形成阻碍,确保冷却气流不会流至微波发生器,从而避免冷却气流中夹杂的灰尘对三销钉调配器和微波发生器等造成污染。同理,当风机从引风管段内腔中吸风时,使用该波导组件的微波等离子体化学气相沉积装置内的气压低于外界气压,外界冷空气会从相应的通风通道进入装置内部,对装置的核心部件进行冷却,从而对使用该波导组件的微波等离子体化学气相沉积装置内的核心部件进行冷却,确保微波等离子体化学气相沉积装置正常稳定地工作。
进一步地,引风通道为呈阵列布置的引风孔,引风孔处设置有用于安装所述风机的风机法兰。
有益效果:直接在引风管段侧壁上开设引风孔来形成引风通道,简化了引风通道的结构,从而简化了波导组件的结构,同时,在引风通道处设置用于安装风机的法兰,方便了风机的安装,同时也进一步简化了波导组件的结构。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的