[实用新型]一种硅片镀膜载具有效
申请号: | 201920994032.6 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN210325728U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 田西林;张伟;张娟;陈跃;崔国庆;卞强 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 镀膜 | ||
本实用新型提供了硅片镀膜载具,包括承载板,在承载板上开设的若干承载孔;承载板包括位于相邻承载孔之间的隔条,以及位于承载板的边缘的边框;在隔条上的承载孔的孔壁包括对应硅片侧边的第一承载部,以及对应硅片顶角或倒角的第二承载部;第一承载部包括第一下沉段和第一倾斜段,第一下沉段自承载板的上表面竖直向下延伸;第一倾斜段顺着第一下沉段的末端向承载孔中心的方向延伸;第二承载部包括第二下沉段和第二倾斜段,第二下沉段自承载板的上表面向下延伸;第二倾斜段顺着第二下沉段的末端向承载孔中心的方向延伸;第二下沉段的下沉深度大于第一下沉段的下沉深度。由于本实用新型能够兼容直角和倒角硅片,因此具有生产成本低和效率高的优点。
技术领域
本实用新型涉及硅片镀膜技术领域,特别是涉及一种硅片镀膜载具。
背景技术
单/多晶硅片一般需要利用镀膜设备对其镀膜来形成某些功能层,例如在其背面进行介质膜钝化处理,以有效降低硅片背面的电子复合速度,同时提升硅片背面的光反射。镀膜时,需要载具以承托硅片。
由于目前市场上的硅片以倒角硅片为主,因此,传统的硅片镀膜载具只能承载倒角硅片。目前又出现了直角硅片,直角硅片因在提升转换效率和降低生产成本方面具有优势,已经作为切实可行的方案应用到工业化生产中。所以,在近期很长一段时间内,生产线上将是倒角硅片和直角硅片并存的生产方式。
但是,传统的镀膜载具不能满足直角硅片的承载需求,单独设计适用于直角硅片的镀膜载具也不适用于倒角硅片,这种镀膜载具均不能适用于目前倒角硅片和直角硅片同时存在的产线上。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型的目的是提供一种能够既适用倒角硅片、又适用直角硅片的硅片镀膜载具。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种硅片镀膜载具,包括承载板,在承载板上开设的若干承载孔;承载板包括位于相邻承载孔之间的隔条,以及位于承载板的边缘的边框;在隔条上的承载孔的孔壁包括对应硅片侧边的第一承载部,以及对应硅片顶角或倒角的第二承载部;第一承载部包括第一下沉段和第一倾斜段,第一下沉段自承载板的上表面竖直向下延伸;第一倾斜段顺着第一下沉段的末端向承载孔中心的方向延伸;第二承载部包括第二下沉段和第二倾斜段,第二下沉段自承载板的上表面向下延伸;第二倾斜段顺着第二下沉段的末端向承载孔中心的方向延伸;第二下沉段的下沉深度大于第一下沉段的下沉深度。
采用了上述技术方案,当承载孔内承载倒角硅片时,倒角硅片的侧边由第一承载部的第一倾斜段承托,硅片的倒角部分对应第二承载部,实现对倒角硅片的承载。当承载孔内承载直角硅片时,由于第二下沉段对应的下沉深度大于第一下沉段对应的下沉深度,直角硅片的顶角可以被容纳,且直角硅片的顶角呈悬空状态,即承载孔的顶角处与直角硅片的顶角处不接触,放置直角硅片时不会对直角硅片造成划伤等破坏,因此,本方案涉及的载具既能适用倒角硅片、也能适用直角硅片,生产中,需要切换硅片类型时,无需随之切换载具,因此具有兼容性好、生产效率高和生产成本低的优点。另外,硅片和第一倾斜段的接触为线接触,与现有载具的面接触相比,能够降低接触处对硅片的损伤,提高硅片的良品率。
优选地,承载板上开设用于避让硅片顶角的避让凹坑;避让凹坑位于承载孔的顶角处。
采用了上述技术方案,对应承载孔的顶角处的承载板上开设的避让凹坑,能够避让硅片顶角,即使直角硅片发生晃动或位移,都可以避免硅片顶角与隔条发生碰撞,最终规避隔条对硅片顶角的损坏。
优选地,避让凹坑为圆弧状凹坑。
优选地,圆弧状凹坑的直径为2毫米至10毫米。
优选地,第一下沉段的下沉深度为0.8至1.5毫米;第二下沉段的下沉深度为1.7至2.0毫米。
优选地,第一倾斜段的倾斜角度为20度至30度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造