[实用新型]一种硅片镀膜载具有效
| 申请号： | 201920994032.6 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210325728U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 田西林;张伟;张娟;陈跃;崔国庆;卞强 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 镀膜 | ||
1.一种硅片镀膜载具，包括承载板；在所述承载板上开设的若干承载孔；所述承载板包括位于相邻所述承载孔之间的隔条，以及位于所述承载板的边缘的边框；
其特征在于：所述承载孔在所述隔条上的孔壁包括对应硅片侧边的第一承载部，以及对应硅片顶角或倒角的第二承载部；
所述第一承载部包括：
第一下沉段，所述第一下沉段自所述承载板的上表面竖直向下延伸；
第一倾斜段，所述第一倾斜段顺着所述第一下沉段的末端向所述承载孔中心的方向延伸；
所述第二承载部包括：
第二下沉段，所述第二下沉段自所述承载板的上表面竖直向下延伸；
第二倾斜段，所述第二倾斜段顺着所述第二下沉段的末端向所述承载孔中心的方向延伸；
所述第二下沉段的下沉深度大于所述第一下沉段的下沉深度。
2.根据权利要求1所述的硅片镀膜载具，其特征在于：所述承载板上开设用于避让所述硅片顶角的避让凹坑；所述避让凹坑位于所述承载孔的顶角处。
3.根据权利要求2所述的硅片镀膜载具，其特征在于：所述避让凹坑为圆弧状凹坑。
4.根据权利要求3所述的硅片镀膜载具，其特征在于：所述圆弧状凹坑的直径为2毫米至10毫米。
5.根据权利要求1所述的硅片镀膜载具，其特征在于：所述第一下沉段的下沉深度为0.8至1.5毫米；所述第二下沉段的下沉深度为1.7至2.0毫米。
6.根据权利要求1所述的硅片镀膜载具，其特征在于：所述第一倾斜段的倾斜角度为20度至30度。
7.根据权利要求1所述的硅片镀膜载具，其特征在于：所述第一承载部与所述第二承载部光滑过渡。
8.根据权利要求1所述的硅片镀膜载具，其特征在于：在所述边框上的所述承载孔的孔壁与在所述隔条上的所述承载孔的孔壁结构不相同。
9.根据权利要求1所述的硅片镀膜载具，其特征在于：所述第一倾斜段和/或第二倾斜段的末端与所述承载板的下表面重合或位于所述承载板的下表面之上。
10.根据权利要求1所述的硅片镀膜载具，其特征在于：所述承载孔呈矩阵分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920994032.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种井风余热利用系统
- 下一篇：一种可调整速比的金属线材拉丝装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
