[实用新型]用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室

说明书

本实用新型提供了一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室。加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台内且与筒状基片载台连接，加热装置包括：第一加热组件，包括多个与筒状基片载台连接的第一加热结构；第二加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第二加热组件位于第一加热组件的一侧，第二加热组件包括多个与筒状基片载台连接的第二加热结构；和/或第三加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第三加热组件位于第一加热组件的另一侧，第三加热组件包括多个与筒状基片载台连接的第三加热结构；其中，第一加热组件和/或第二加热组件和/或第三加热组件同步运行。本实用新型解决了现有技术中加热装置存在温差，影响电池基片沉积效果的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室。

背景技术

目前，在砷化镓太阳能电池生产过程中，需要使用MOCVD反应室在电池基片上形成金属聚合物膜层。

然而，在现有技术中，MOCVD反应室的加热器为一体结构，筒状基片载台的中间区域和外缘区域存在温差，导致电池基片的中间区域和外缘区域的沉积效果存在差异，影响电池性能。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室，以解决现有技术中加热装置存在温差，影响电池基片沉积效果的问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方面，提供了一种用于MOCVD反应室的加热装置，加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台内且与筒状基片载台连接，加热装置包括：第一加热组件，包括多个第一加热结构，多个第一加热结构与筒状基片载台的内表面连接；第二加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第二加热组件位于第一加热组件的一侧，第二加热组件包括多个第二加热结构，多个第二加热结构与筒状基片载台的内表面连接；和/或第三加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第三加热组件位于第一加热组件的另一侧，第三加热组件包括多个第三加热结构，多个第三加热结构与筒状基片载台的内表面连接；其中，第一加热组件和/或第二加热组件和/或第三加热组件同步运行，以对筒状基片载台进行加热。

进一步地，多个第一加热结构沿筒状基片载台的内周向间隔设置；和/或多个第一加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置。

进一步地，当多个第一加热结构沿筒状基片载台的内周向间隔设置时，各第一加热结构的延伸方向与筒状基片载台的轴线方向平行设置。

进一步地，多个第二加热结构沿筒状基片载台的内周向间隔设置；和/或多个第二加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置。

进一步地，当多个第二加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置时，各第二加热结构为环状结构且与筒状基片载台同轴设置。

进一步地，多个第三加热结构沿筒状基片载台的内周向间隔设置；和/或多个第三加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置。

进一步地，当多个第三加热结构沿筒状基片载台的轴线方向间隔设置时，各第三加热结构为环状结构且与筒状基片载台同轴设置。

进一步地，加热装置还包括：第一检测模块，与第一加热组件连接，第一检测模块用于检测第一加热组件的加热温度；第一控制模块，与第一检测模块和第一加热组件均连接，第一检测模块将检测温度值传输给第一控制模块，第一控制模块根据检测温度值控制第一加热组件的加热温度或加热功率。