[实用新型]用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室

权利要求书

1.一种用于MOCVD反应室的加热装置，所述加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台(10)内且与所述筒状基片载台(10)连接，其特征在于，所述加热装置包括：

第一加热组件(20)，包括多个第一加热结构(21)，多个所述第一加热结构(21)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；

第二加热组件(30)，沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向，所述第二加热组件(30)位于所述第一加热组件(20)的一侧，所述第二加热组件(30)包括多个第二加热结构(31)，多个所述第二加热结构(31)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；和/或

第三加热组件(40)，沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向，所述第三加热组件(40)位于所述第一加热组件(20)的另一侧，所述第三加热组件(40)包括多个第三加热结构(41)，多个所述第三加热结构(41)与所述筒状基片载台(10)的内表面连接；

其中，所述第一加热组件(20)和/或所述第二加热组件(30)和/或所述第三加热组件(40)同步运行，以对所述筒状基片载台(10)进行加热。

2.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，

多个所述第一加热结构(21)沿所述筒状基片载台(10)的内周向间隔设置；和/或

多个所述第一加热结构(21)沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向间隔设置。

3.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，当多个所述第一加热结构(21)沿所述筒状基片载台(10)的内周向间隔设置时，各所述第一加热结构(21)的延伸方向与所述筒状基片载台(10)的轴线方向平行设置。

4.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，

多个所述第二加热结构(31)沿所述筒状基片载台(10)的内周向间隔设置；和/或

多个所述第二加热结构(31)沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向间隔设置。

5.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，当多个所述第二加热结构(31)沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向间隔设置时，各所述第二加热结构(31)为环状结构且与所述筒状基片载台(10)同轴设置。

6.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，

多个所述第三加热结构(41)沿所述筒状基片载台(10)的内周向间隔设置；和/或

多个所述第三加热结构(41)沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向间隔设置。

7.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，当多个所述第三加热结构(41)沿所述筒状基片载台(10)的轴线方向间隔设置时，各所述第三加热结构(41)为环状结构且与所述筒状基片载台(10)同轴设置。

8.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应室的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括：

第一检测模块，与所述第一加热组件(20)连接，所述第一检测模块用于检测所述第一加热组件(20)的加热温度；

第一控制模块，与所述第一检测模块和所述第一加热组件(20)均连接，所述第一检测模块将检测温度值传输给所述第一控制模块，所述第一控制模块根据所述检测温度值控制所述第一加热组件(20)的加热温度或加热功率。