[实用新型]平面结构沟道金氧半场效晶体管

说明书

本实用新型公开了一种平面结构沟道金氧半场效晶体管。平面结构沟道金氧半场效晶体管包括基体，基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，第一基板为P型晶圆基板，第二基板经过深N‑阱工艺处理。第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，沟道中形成有栅极，沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，栅极、源极和漏极位于基体的同侧。本实用新型中沟道型栅极和同侧设置的栅极、源极和漏极结构可以提高导通性能，减小单元间距，从而降低集成电源芯片的单位导通电阻，提高导通性能，并将同性能条件下的晶体管面积减小一半左右，同时便于在同一基体上集成多个晶体管结构。

技术领域

本实用新型涉及集成电路半导体领域，尤其涉及一种平面结构沟道金氧半场效晶体管及其加工方法。

背景技术

现有技术LDMOS是集成电源芯片中的MOSFET器件，它可以很容易的同CMOS工艺集成在一块晶片上，提供较好的单位导通阻值(RdsA)和高开关速度。沟道型MOSFET可以提供更小的晶圆占用面积，因为沟道型MOSFET可以实现更小的单元间距和更高的电流密度。

例如在耐压等级(BV)为34V的工艺下，沟道型MOSFET可以达到单位导通阻值RdsA(Vgs＝5V)3～4mOhm-mm2，同样耐压等级的LDMOS则只能达到RdsA(Vgs＝5V)～7mOhm-mm2(数字越小说明单位导通阻值越低，MOSFET的效率越高)。

但是因为沟道型MOSFET的电极分布在晶圆上下两端，所以无法同CMOS工艺集成在一起。

实用新型内容

本实用新型实施方式提供的一种平面结构沟道金氧半场效晶体管，包括基体，所述基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，所述第一基板为P型晶圆基板，所述第二基板经过深N-阱工艺处理，

所述第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，所述沟道中形成有栅极，所述沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，所述栅极、源极和漏极位于所述基体的同侧。

本实用新型中沟道型栅极和同侧设置的栅极、源极和漏极结构可以提高导通性能，减小单元间距，从而降低集成电源芯片的单位导通电阻，提高导通性能，并将同性能条件下的晶体管面积减小一半左右，同时便于在同一基体上集成多个晶体管结构。

在某些实施方式中，所述第二基板上表面覆盖有氧化层。

在某些实施方式中，所述沟道表面形成均匀或不均匀的氧化层侧壁。

在某些实施方式中，所述沟道内填充有多晶材料。

在某些实施方式中，所述源极自下而上形成N+扩散区域和P-扩散区域。

在某些实施方式中，所述漏极形成N+扩散区域。

本实用新型实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本实用新型实施方式的平面结构沟道金氧半场效晶体管的平面截面结构示意图；

图2是本实用新型实施方式的平面结构沟道金氧半场效晶体管的加工方法的流程示意图；

图3是本实用新型实施方式的平面结构沟道金氧半场效晶体管的另一平面截面结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。