[实用新型]平面结构沟道金氧半场效晶体管有效
| 申请号： | 201920963740.3 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN210224042U | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 潘继;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡沃达科半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闯;葛莉华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 结构 沟道 半场 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，包括基体，所述基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，所述第一基板为P型晶圆基板，所述第二基板经过深N-阱工艺处理，
所述第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，所述沟道中形成有栅极，所述沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，所述栅极、源极和漏极位于所述基体的同侧。
2.根据权利要求1所述的平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，所述第二基板上表面覆盖有氧化层。
3.根据权利要求1所述的平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，所述沟道表面形成均匀或不均匀的氧化层侧壁。
4.根据权利要求1所述的平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，所述沟道内填充有多晶材料。
5.根据权利要求1所述的平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，所述源极自下而上形成N+扩散区域和P-扩散区域。
6.根据权利要求5所述的平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，所述漏极形成N+扩散区域。
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