[实用新型]一种基于覆晶的无引线封装功率型LED光源

说明书

本实用新型公开了一种基于覆晶的无引线封装功率型LED光源，包括最上表面的蓝宝石底衬层，其下方设置有多重的量子陷层；所述的量子陷层中心内底槽设置有P型氮化镓层和N型氮化镓层；所述的P/N型氮化镓层下方设置有氧化硅层，其下方设置有电流扩展层和PCB板层；所述的PCB板层下方设置有LED芯片及基板；本实用新型一种基于覆晶的无引线封装功率型LED光源,其设计合理，具有无引线阻碍，实现覆晶超薄封装，可耐大电流冲击，热传导途径短，金属界面导热系数更高，热阻更小，完全摆脱引线和粘结胶的束缚，表现出优异的力、热、光、电性能，适合广泛推广。

技术领域

本实用新型涉及一种LED光源，尤其涉及一种基于覆晶的无引线封装功率型LED光源；属于LED技术领域。

背景技术

正装芯片封装采用银胶或白胶将芯片固定在基板上，通过引线实现电气连接。银胶或白胶含环氧树脂，长期环境稳定性较差，其热阻较高，在LED长时间通电过程中粘接力逐渐变差，易导致LED寿命缩短；且引线很细，耐大电流冲击能力较差，仅能承受10g左右的作用力，当受到冷热冲击时，因各种封装材料的热失配，易导致引线断裂从而引起LED失效，有引线覆晶封装的缺点为热传导途径较长：金属焊点通过硅基板、导热粘结胶、支架热沉；其有引线连接长，大电流承受能力有限，存在引线虚焊引起的可靠性问题。

发明内容

（一）要解决的技术问题

为解决上述问题，本实用新型提出了一种基于覆晶的无引线封装功率型LED光源。

（二）技术方案

本实用新型的基于覆晶的无引线封装功率型LED光源，包括最上表面的蓝宝石底衬层，其下方设置有多重的量子陷层；所述的量子陷层中心内底槽设置有P型氮化镓层和N型氮化镓层；所述的P/N型氮化镓层下方设置有氧化硅层，其下方设置有电流扩展层和PCB板层；所述的PCB板层下方设置有LED芯片及基板。

进一步地，所述的LED芯片正负电极与PCB板层之间通过金锡焊料焊接，且周围通过环氧树脂封胶而成。

进一步地，所述的LED芯片的周围环氧树脂封胶为透明体其封胶斜面设置有黄色反光荧粉层。

进一步地，所述的氧化硅层与P/N型氮化镓层之间设置有散热衬片，且围绕LED芯片与环氧树脂封胶接触面及上接触面均设置有散热衬片。

进一步地，所述的电流扩展层与PCB板层之间设置有铅粉沫片。

（三）有益效果

本实用新型与现有技术相比较，其具有以下有益效果：本实用新型的基于覆晶的无引线封装功率型LED光源，其设计合理，具有无引线阻碍，实现覆晶超薄封装，可耐大电流冲击，热传导途径短，金属界面导热系数更高，热阻更小，完全摆脱引线和粘结胶的束缚，表现出优异的力、热、光、电性能，适合广泛推广。

附图说明

图1是本实用新型的覆晶封装结构示意图。

1-蓝宝石底衬层；2-量子陷层；3-P型氮化镓层；4-电流扩展层；5-PCB板层；6-LED芯片；7-N型氮化镓层；8-氧化硅层；9-基板；10-散热衬片；11-铅粉沫片；12-环氧树脂封胶；13-黄色反光荧粉层。

具体实施方式

如附图所示的一种基于覆晶的无引线封装功率型LED光源，包括最上表面的蓝宝石底衬层1，其下方设置有多重的量子陷层2；所述的量子陷层2中心内底槽设置有P型氮化镓层3和N型氮化镓层7；所述的P/N型氮化镓层下方设置有氧化硅层8，其下方设置有电流扩展层4和PCB板层5；所述的PCB板层5下方设置有LED芯片6及基板9；