[实用新型]一种太阳能电池叠层钝化结构和叠层钝化接触太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种太阳能电池叠层钝化结构，其包括：硅片，钝化层；设于所述硅片正面；N⁺型多晶硅层；设于所述钝化层上方，包括第一N⁺型多晶硅层与第二N⁺型多晶硅层；所述第一N⁺型多晶硅层通过原位掺杂、高温处理工艺形成；所述第二N⁺型多晶硅层通过扩散掺杂、高温处理工艺形成；减反层；设于所述N⁺型多晶硅层上方；其中，所述第一N⁺型多晶硅层靠近所述钝化层；所述第二N⁺型多晶硅层靠近所述减反层。本实用新型还公开了一种叠层钝化结构以及包含上述叠层钝化结构的太阳能电池。实施本实用新型，能够去除悬挂键和降低表面态，提升太阳能电池的效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池叠层钝化结构和叠层钝化接触太阳能电池。

背景技术

为了提高晶硅太阳能电池的效率，必须对电池表面进行良好的钝化，降低表面缺陷复合从而提高电池的开路电压。现有的钝化技术多集中在太阳能电池的背面钝化，如高效太阳能电池钝化发射结背表面太阳能电池(PERC)和背面发射结、背面局部扩散太阳能电池(PERL)取得了极大的成功，其中PERL太阳能电池的光电转化效率达到了24.7％；SunPower公司生产的背面接触太阳能电池(IBC)和Sanyo公司生产的异质结(Hetero junctionIntrinsic Thin layer， HIT)太阳能电池，其效率分别是24％和23％等。这些太阳能电池无一例外的采用了背面面钝化技术，是太阳能的有效寿命保持在较高水平，从而得到了较高的开路电压和短路电流。

而对于太阳能电池正面的钝化方法一般包括全表面重掺、选择性重掺以及生长沉积氧化硅、氮化硅、氧化硅/氮化硅叠层等结构。但这些结构对于电池片 P型表面的钝化效果有限，限制后续电池效率的提升。

为了提升钝化效果，中国专利申请201811081406.1提出了采用钝化隧穿层 +N⁺型多晶硅层+氮化硅层进行硅片正面钝化的技术，取得了良好的钝化效果。其主要采用LPCVD在制绒的硅片表面沉积了氧化硅层与多晶硅层，然后采用磷掺杂使得多晶硅层形成了N⁺型多晶硅层；这种工艺较为复杂，时间较长；且由于多晶硅层较厚，不容易形成均匀的掺杂，进而使得方阻不均匀，或者为了多晶硅的有效掺杂，需要提升表面磷掺杂浓度，这样也会造成电池开路电压下降，进而降低了太阳能电池的转化效率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种太阳能电池叠层钝化结构，其可有效发挥钝化优势，降低表面复合。

本实用新型还要解决的技术问题在于，提供一种叠层钝化接触太阳能电池，其转化效率高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种太阳能电池叠层钝化结构，其包括：

硅片，包括用于收集入射光的正面和与该正面相对的背面；

钝化层；设于所述硅片正面；

N⁺型多晶硅层；设于所述钝化层上方，包括第一N⁺型多晶硅层与第二N⁺型多晶硅层；所述第一N⁺型多晶硅层通过原位掺杂、高温处理工艺形成；所述第二N⁺型多晶硅层通过扩散掺杂、高温处理工艺形成；

减反层；设于所述N⁺型多晶硅层上方；

其中，所述第一N⁺型多晶硅层靠近所述钝化层；所述第二N⁺型多晶硅层靠近所述减反层。

作为上述技术方案的改进，所述钝化层为二氧化硅层，其厚度为2-5nm。