[实用新型]一种太阳能电池叠层钝化结构和叠层钝化接触太阳能电池有效
| 申请号: | 201920948471.3 | 申请日: | 2019-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN210167363U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
| 发明(设计)人: | 刘慎思;张小明;林纲正 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0288;H01L31/048 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
| 地址: | 300403 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 钝化 结构 接触 | ||
1.一种太阳能电池叠层钝化结构,其特征在于,包括:
硅片,包括用于收集入射光的正面和与该正面相对的背面;
钝化层;设于所述硅片正面;
N+型多晶硅层;设于所述钝化层上方,包括第一N+型多晶硅层与第二N+型多晶硅层;所述第一N+型多晶硅层通过原位掺杂、高温处理工艺形成;所述第二N+型多晶硅层通过扩散掺杂、高温处理工艺形成;
减反层;设于所述N+型多晶硅层上方;
其中,所述第一N+型多晶硅层靠近所述钝化层;所述第二N+型多晶硅层靠近所述减反层。
2.如权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构,其特征在于,所述钝化层为二氧化硅层,其厚度为2-5nm。
3.如权利要求2所述的太阳能电池叠层钝化结构,其特征在于,所述第一N+型多晶硅层的厚度为50-70nm。
4.如权利要求3所述的太阳能电池叠层钝化结构,其特征在于,所述第二N+型多晶硅层的厚度为50-200nm。
5.如权利要求4所述的太阳能电池叠层钝化结构,其特征在于,所述钝化层的厚度为2-5nm;所述第一N+型多晶硅层的厚度为50-60nm;所述第二N+型多晶硅层的厚度为100-200nm。
6.如权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构,其特征在于,所述钝化层由氮化硅制成,其厚度为10-40nm。
7.如权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构,其特征在于,所述硅片为P型单晶硅片。
8.如权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构,其特征在于,所述硅片背面还设有第一钝化膜层和第二钝化膜层;
所述第一钝化膜层为氧化铝材料;所述第二钝化膜层为氮化硅材料。
9.一种叠层钝化接触太阳能电池,其特征在于,其包括如权利要求1-8任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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