[实用新型]一种磁控溅射反应设备换样片装置

说明书

本实用新型公开了一种磁控溅射反应设备换样片装置，包括取样长杆，所述装置还包括圆筒、样片基座及设于取样长杆前部的长杆端部，所述长杆端部包括长杆端头、电磁铁、伸缩机构及微动开关，所述电磁铁、伸缩机构及微动开关设于圆筒内，所述电磁铁设于长杆端头的后方，所述电磁铁后方装设有伸缩机构，所述伸缩机构的尾端伸缩接触微动开关，所述样片基座包括设有凹陷口的尾端，所述长杆端头在尾端的凹陷口进出。本实用新型运用磁铁吸力实现取样，并使用弹簧和微动开关实现长杆自动脱出，在缩短搬运的时间，且要避免样片在搬运过程中受到损伤，以提高生产效率和成品率，并有利于提高整台设备的密封性，保证了工艺环境的洁净度。

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种磁控溅射反应设备换样片装置。

背景技术

磁控溅射设备是一种利用物理气相沉积法进行真空镀膜的实验仪器，通过电离出的离子轰击靶材，溅射出的靶材原子沉积在基片上制成薄膜，可以制备金属薄膜、半导体薄膜、高聚物薄膜等多种材质的薄膜。

在进行磁控溅射镀膜时，在设备进入真空状态后，为保证工艺的稳定性，要求真空室真空度恒定、送气量平稳。本实用新型用于实现样片在溅射镀膜主腔室与副腔室之间的传递，以及样片在样片架上的取放。

如图1所示，现有设备的取样杆前端，样片与取样杆间采用L结构上的配合实现样片取放，由于取样杆较长且配合接口较小，且可视窗口小，需要较高的准度以及多次目测调整才能实现样片与取样杆间的成功配合，且配合不牢固，易出现样片滑落的情况。耗费时间长，易造成样片损伤。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术的缺陷，提供了一种磁控溅射反应设备换样片装置，能在缩短搬运的时间，同时避免样片在搬运过程中受到损伤。

为了实现以上目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种磁控溅射反应设备换样片装置，包括取样长杆，所述装置还包括圆筒、样片基座及设于取样长杆前部的长杆端部，所述长杆端部包括长杆端头、电磁铁、伸缩机构及微动开关，所述电磁铁、伸缩机构及微动开关设于圆筒内，所述电磁铁设于长杆端头的后方，所述电磁铁后方装设有伸缩机构，所述伸缩机构的尾端伸缩接触微动开关，所述样片基座包括设有凹陷口的尾端，所述长杆端头在尾端的凹陷口进出。

进一步的，所述伸缩机构包括小杆、卡位圆环、弹簧，所述电磁铁后方中央设有供小杆端部伸入的容纳腔，所述弹簧套设在小杆外，所述弹簧的前端固定在电磁铁后方，所述弹簧的后端与接触块固定，所述卡位圆环固定在圆筒内壁上，长杆端头及电磁铁向后移动时，所述接触块与微动开关接触。

进一步的，所述长杆端头为圆台状，所述样片基座的凹陷口为与长杆端头相匹配的圆台状凹陷口。

进一步的，所述电磁铁后方固定有电磁铁基座。

进一步的，所述样片基座中部设有样片放置区。

进一步的，所述样片放置区为下凹成圆形的磁控溅射基底。

进一步的，所述微动开关前部设有接触片，所述伸缩机构的尾端与所述接触片通过伸缩接触。

进一步的，所述微动开关安装在开关基座上。

进一步的，所述样片基座为片状。

进一步的，所述样片基座的基座前端为矩形凸起。

采用本实用新型技术方案，本实用新型的有益效果为：与现有技术相比，本实用新型运用磁铁吸力实现取样，并使用弹簧和微动开关实现长杆自动脱出，在缩短搬运的时间，且要避免样片在搬运过程中受到损伤，以提高生产效率和成品率，并有利于提高整台设备的密封性，保证了工艺环境的洁净度。

附图说明

图1是背景技术中所指出的现有取样长杆前端结构图；