[实用新型]一种功率器件

说明书

本申请提供了一种功率器件，该功率器件包括第一绝缘层；框架，设置于所述第一绝缘层的一侧，且设有容置空间；芯片，设置于容置空间内，且第一绝缘层设有连通芯片的第一过孔；第二绝缘层，设置于框架远离第一绝缘层的一侧并填充于容置空间以封装芯片，且第二绝缘层设有连通芯片的第二过孔；两个导电图案层，分别设置于所述第一绝缘层远离芯片的一侧及第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧，并分别通过第一过孔及所述第二过孔与芯片电连接。上述实施方式能够实现芯片的双面散热，降低芯片的温度，提高芯片的使用寿命。

技术领域

本申请涉及芯片封装技术领域，特别是涉及一种功率器件。

背景技术

随着电子产品高频高速需求的发展，传统的打线封装和倒装封装互联方式难以满足高频高速信号传输的需求，因此越来越多芯片采用基板内埋入或者晶圆级的扇出工艺实现裸芯片封装，减小封装互联尺寸而实现芯片高频高速传输对信号完整性的需求。但现有技术的埋入式封装方案难以实现高散热芯片的需求。

发明内容

本申请主要是提供一种功率器件，能够实现芯片的双面散热，提高芯片的散热效率。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种功率器件，所述功率器件包括：第一绝缘层；框架，设置于所述第一绝缘层的一侧，且设有容置空间；芯片，设置于所述容置空间内，且所述第一绝缘层设有连通所述芯片的第一过孔；第二绝缘层，设置于所述框架远离所述第一绝缘层的一侧并填充于所述容置空间以封装所述芯片，且，且所述第二绝缘层设有连通所述芯片的第二过孔；两个导电图案层，分别设置于所述第一绝缘层远离所述芯片的一侧及所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧，并分别通过所述第一过孔及所述第二过孔与所述芯片电连接。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种功率器件的制备方法，所述方法包括：提供一框架并将所述框架设置于第一绝缘层的一侧，其中，所述框架设有容置空间，所述容置空间内设有芯片；在所述框架远离所述第一绝缘层的一侧及所述容置空间内形成第二绝缘层以封装所述芯片；分别形成贯穿所述第一绝缘层及所述第二绝缘层且连通所述芯片的第一过孔及第二过孔；形成分别在所述第一绝缘层远离所述芯片的一侧及所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧的两个导电图案层，所述两个导电图案层分别通过所述第一过孔及所述第二过孔与所述芯片电连接。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供的功率器件包括第一绝缘层、框架、芯片、第二绝缘层、两个导电图案层，框架设置于第一绝缘层的一侧且设有容置空间；芯片设置于容置空间内，且第一绝缘层设有连通芯片的第一过孔；第二绝缘层设置于框架远离第一绝缘层的一侧并填充于容置空间内以封装芯片，第二绝缘层设有连通芯片的第二过孔；两个导电图案层分别设置于第一绝缘层远离芯片的一侧及第二绝缘层远离第一绝缘层的一侧，并分别通过第一过孔及第二过孔与芯片电连接，从而可以实现芯片的双面散热，降低芯片的温度，提高芯片的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本申请提供的功率器件实施例的截面示意图；

图2是图1中第一绝缘层11、框架12及芯片13的截面示意图；

图3是图1中第二绝缘层与图2中各结构的截面示意图；

图4是图1中两个导电图案层14与多个芯片13电连接的截面示意图；

图5是图1中绝缘导热层16的另一截面示意图；

图6是本申请提供的功率器件的制备方法实施例的流程示意图。

具体实施方式