[实用新型]一种功率器件有效
申请号: | 201920884421.3 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN209947825U | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 黄立湘;缪桦 | 申请(专利权)人: | 深南电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L21/50 |
代理公司: | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 芯片 容置空间 功率器件 连通 导电图案层 芯片电连接 封装芯片 使用寿命 双面散热 填充 申请 | ||
1.一种功率器件,其特征在于,所述功率器件包括:
第一绝缘层;
框架,设置于所述第一绝缘层的一侧,且设有容置空间;
芯片,设置于所述容置空间内,且所述第一绝缘层设有连通所述芯片的第一过孔;
第二绝缘层,设置于所述框架远离所述第一绝缘层的一侧并填充于所述容置空间以封装所述芯片,且所述第二绝缘层设有连通所述芯片的第二过孔;
两个导电图案层,分别设置于所述第一绝缘层远离所述芯片的一侧及所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧,并分别通过所述第一过孔及所述第二过孔与所述芯片电连接。
2.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件还包括:
两个绝缘导热层,分别设置于所述两个导电图案层远离所述芯片的一侧;
两个散热层,分别设置于所述两个绝缘导热层远离所述芯片的一侧;
两个散热器,分别设置于所述两个散热层远离所述芯片的一侧。
3.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述导电图案层的厚度范围为100-600微米。
4.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于,所述导电图案层的厚度范围为200-400微米。
5.根据权利要求2所述的功率器件,其特征在于,所述绝缘导热层为绝缘导热胶。
6.根据权利要求2所述的功率器件,其特征在于,所述绝缘导热层包括层叠设置的第一连接层及绝缘基板,所述第一连接层用于与所述导电图案层连接。
7.根据权利要求6所述的功率器件,其特征在于,所述绝缘导热层还包括设置于所述绝缘基板远离所述第一连接层一侧的第二连接层,所述第二连接层用于与所述散热层连接。
8.根据权利要求6所述的功率器件,其特征在于,所述绝缘基板为陶瓷基板。
9.根据权利要求7所述的功率器件,其特征在于,所述第一连接层为金属连接层,所述第一连接层焊接于所述导电图案层。
10.根据权利要求7所述的功率器件,其特征在于,所述第二连接层为金属连接层,所述第二连接层焊接于所述散热层。
11.根据权利要求2所述的功率器件,其特征在于,所述散热器为散热翅片或热管。
12.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述容置空间的数量为多个,所述芯片的数量为多个,所述多个芯片分别设置于所述多个容置空间内,且所述多个芯片通过所述导电图案层电连接。
13.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述芯片在所述芯片远离所述第一绝缘层的方向上的高度小于所述容置空间的深度。
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