[实用新型]一种热处理装置

说明书

本实用新型公开了一种热处理装置，包括：上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；加热器，设置于上腔室和下腔室其中之一，另一个腔室用于放置晶圆；上腔室进气口和上腔室出气口，设置于上腔室的侧壁；下腔室进气口和下腔室出气口，设置于下腔室的侧壁；抽气口，通过管道连通于所述上腔室出气口和下腔室出气口。本实用新型通过分别在上下腔室设置进气口和出气口，能够平衡上下腔室之间的气压，避免损坏上下腔室之间的石英板。

技术领域

本实用新型涉及加热设备领域，更具体地，涉及用于半导体制造的热处理装置。

背景技术

在半导体制造过程中，热处理是必要的。例如，快速热处理(RTP，rapid thermalprocessing)是半导体制造中的一道工艺，可以用于离子注入后的杂质快速激活、快速热氧化等。快速热处理升温速度非常快保温时间很短，一般升温速率能达到10～100摄氏度每秒。通常采用红外卤素灯或者电阻棒加热，加热时电流很大，功率很大。快速热处理能大量节省热处理时间和降低生产成本，是热处理上的一次革新。

常用的热处理装置有立式炉、卧式炉等。现有的一些热处理装置为了防止加热照射时扬起颗粒，进而污染晶圆，将热处理装置内分为两个腔室，晶圆和加热装置分别位于不同的腔室，两个腔室之间通过石英板分隔开。但是在实热际处理过程中，容易出现两个腔室之间压力不平衡，为此有些热处理装置在石英板上开孔，但是石英板比较脆，开孔容易导致石英板应力集中出现破裂，而且直接在石英板上开孔，也容易导致腔室内沉积的颗粒通过开孔污染晶圆。

因此，期待一种改进的热处理装置，能够平衡腔室之间的压力，并且减少对晶圆的污染。

实用新型内容

本实用新型的目的是提出一种热处理装置，所述热处理装置包括上腔室和下腔室，通过分别在上下腔室设置进气口和出气口，能够平衡上下腔室之间的气压。而且，通过进气口和出气口的位置设置方式，能够实现腔室的自清洁。

根据本实用新型的一个方面，提供一种热处理装置，所述热处理装置包括：

上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；

加热器，设置于上腔室和下腔室其中之一，另一个腔室用于放置晶圆；

上腔室进气口和上腔室出气口，设置于上腔室的侧壁；

下腔室进气口和下腔室出气口，设置于下腔室的侧壁；

抽气口，通过管道连通于所述上腔室出气口和下腔室出气口。

进一步地，所述导热板为石英板，以密封方式分隔所述上腔室和所述下腔室。

进一步地，还包括抽气泵，设置于所述抽气口的出口管道上。

进一步地，还包括过滤装置，所述过滤装置设置于所述上腔室进气口或所述下腔室进气口的前端。

进一步地，所述上腔室进气口设置在上腔室一侧壁的下部，所述上腔室出气口设置在上腔室的另一侧壁的上部，所述上腔室进气口和上腔室出气口位于上腔室的空间对角线上。

进一步地，所述下腔室进气口设置在下腔室一侧壁的下部，所述下腔室出气口设置在下腔室的另一侧壁的上部，所述下腔室进气口和下腔室出气口位于下腔室的空间对角线上。

进一步地，还包括电磁阀和流量控制器，依次设置于所述上腔室进气口或者所述下腔室进气口的前端。

进一步地，过滤装置设置于所述抽气泵的进口管道上。

进一步地，还包括四通阀，所述四通阀的两个出气口分别连接到所述上腔室进气口和下腔室进气口；所述四通阀的两个进气口分别连接到所述抽气口的出口管道和反应气体管道。

进一步地，还包括单向排气阀，设置在所述抽气口的出口管道上。