[实用新型]一种热处理装置有效
| 申请号： | 201920875508.4 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN210296308U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周思源 | 申请（专利权）人： | 量伙半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 高爽 |
| 地址： | 201302 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置，其特征在于，所述热处理装置包括：
上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；
加热器，设置于上腔室和下腔室其中之一，另一个腔室用于放置晶圆；
上腔室进气口和上腔室出气口，设置于上腔室的侧壁；
下腔室进气口和下腔室出气口，设置于下腔室的侧壁；
抽气口，通过管道连通于所述上腔室出气口和下腔室出气口。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述导热板为石英板，以密封方式分隔所述上腔室和所述下腔室。
3.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，进一步包括抽气泵，设置于所述抽气口的出口管道上。
4.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，进一步包括过滤装置，所述过滤装置设置于所述上腔室进气口或所述下腔室进气口的前端。
5.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述上腔室进气口设置在上腔室一侧壁的下部，所述上腔室出气口设置在上腔室的另一侧壁的上部，所述上腔室进气口和上腔室出气口位于上腔室的空间对角线上。
6.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述下腔室进气口设置在下腔室一侧壁的下部，所述下腔室出气口设置在下腔室的另一侧壁的上部，所述下腔室进气口和下腔室出气口位于下腔室的空间对角线上。
7.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，进一步包括电磁阀和流量控制器，依次设置于所述上腔室进气口或者所述下腔室进气口的前端。
8.根据权利要求4所述的热处理装置，其特征在于，所述过滤装置设置于所述抽气泵的进口管道上。
9.根据权利要求8所述的热处理装置，其特征在于，进一步包括四通阀，所述四通阀的两个出气口分别连接到所述上腔室进气口和下腔室进气口；所述四通阀的两个进气口分别连接到所述抽气口的出口管道和反应气体管道。
10.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，进一步包括单向排气阀，设置在所述抽气口的出口管道上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
