[实用新型]48VEV底盘的换电控制装置有效
申请号: | 201920860750.4 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN211195918U | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 魏方勇;范从建;陈鑫 | 申请(专利权)人: | 捷星新能源科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | B60L58/10 | 分类号: | B60L58/10 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 215122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 48 vev 底盘 控制 装置 | ||
1.48VEV底盘的换电控制装置,其特征在于,包括外部接口,所述外部接口用于连接电池管理系统,还包括与所述外部接口相连接的:
电压采集电路,所述电压采集电路连接电池,用于采集电池电压信息;
温度采集电路,所述温度采集电路采用温度传感器,其型号为其型号为CJZS-006,用于采集温度;
MOS电路,所述MOS电路连接电池,用于对电池进行充放电;
MOS驱动电路,用于驱动所述MOS电路进行充放电,所述MOS驱动电路采用驱动芯片LTC700。
2.根据权利要求1所述的48VEV底盘的换电控制装置,其特征在于:所述外部接口采用外部接口P1,外部接口P1的型号为SM8B-CPT-1A-1,外部接口P1的1端口接地。
3.根据权利要求2所述的48VEV底盘的换电控制装置,其特征在于:电池的正极连接串联的电阻R9、R10、R11、R12后接地,外部接口P1的8端口连接电阻R12与电阻R11之间,电池负极接地。
4.根据权利要求2所述的48VEV底盘的换电控制装置,其特征在于:外部接口P1的2端口连接温度传感器RT1后接地,所述温度传感器RT1在连接电阻R7后接地,所述温度传感器RT1在连接电阻R8后接地。
5.根据权利要求2所述的48VEV底盘的换电控制装置,其特征在于:所述MOS驱动电路包括充电驱动电路和放电驱动电路。
6.根据权利要求5所述的48VEV底盘的换电控制装置,其特征在于:放电驱动电路包括放电驱动芯片U2,其型号为LTC700,外部接口P1的6端口连接电阻R6后连接到放电驱动芯片U2的8端口,放电驱动芯片U2的1端口连接到外部接口P1的3端且在连接电容C2后接地,放电驱动芯片U2的7端口连接电容C8后接地,放电驱动芯片U2的17端口接地,放电驱动芯片U2的9、10端口均在连接电阻R5后连接到MOS电路的MOS管Q1的g极和MOS管Q2的g极且连接到电池的正极,MOS管Q1的d极连接到MOS管Q2的d极,放电驱动芯片U2的12端在连接电容C6后和放电驱动芯片U2的11端一起连接到MOS管Q2的S极和MOS管Q4的s极;
充电驱动电路包括充电驱动芯片U1,其型号为LTC700,外部接口P1的4端口连接电阻R4后连接到充电驱动芯片U1的8端口,充电驱动芯片U1的1端口连接到外部接口P1的3端且在连接电容C1后接地,充电驱动芯片U1的7在连接电容C7后接地,充电驱动芯片U1的17端口接地,充电驱动芯片U1的9、10端口均在连接电阻R3后连接到MOS电路的MOS管Q3的g极和MOS管Q4的g极且连接到母线,MOS管Q3的d极连接到MOS管Q4的d极,MOS管Q3的s极连接MOS管Q1的s极,充电驱动芯片U1的12端在连接电容C5后和充电驱动芯片U1的11端一起连接到MOS管Q2的s极和MOS管Q4的s极。
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