[实用新型]用于抗静电伤害的电路结构有效
| 申请号： | 201920860293.9 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN209692347U | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王海波;蔡云枝 | 申请（专利权）人： | 上海市共进通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 31002 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁;郑暄<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 200235 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路结构 防护模块 静电释放 静电 主芯片 本实用新型 差分线 电源地 抗静电 电源 电路 有效防止静电 产品使用 静电处理 硬件损伤 耦合到 电容 并联 隔断 伤害 串接 电阻 芯片 | ||
1.一种用于抗静电伤害的电路结构，包括USB口及主芯片，其特征在于，所述的电路结构中设有静电释放防护模块，所述的USB口上设有第一差分线及第二差分线，所述的第一差分线同时与所述的主芯片的第一端口及静电释放防护模块的第一端相连接，所述的第二差分线同时与所述的主芯片的第二端口及静电释放防护模块的第二端相连接，所述的静电释放防护模块的第三端接系统地。
2.根据权利要求1所述的用于抗静电伤害的电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括电源，所述的电源的第一端口与电源地相连接，所述的电源地通过磁珠与所述的系统地相连接。
3.根据权利要求2所述的用于抗静电伤害的电路结构，其特征在于，所述的磁珠为0Ω磁珠。
4.根据权利要求2所述的用于抗静电伤害的电路结构，其特征在于，所述的USB口的第一端口串接静电消耗吸收模块后与所述的电源地相连接。
5.根据权利要求4所述的用于抗静电伤害的电路结构，其特征在于，所述的静电消耗吸收模块包括并联连接的电阻及电容。
6.根据权利要求2所述的用于抗静电伤害的电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括电源芯片，所述的电源芯片的第一端口与所述的静电释放防护模块的第四端相连接，所述的电源芯片的第二端口与所述的USB口的第二端口相连接，所述的电源芯片的第三端口与所述的主芯片的第三端口相连接。
7.根据权利要求6所述的用于抗静电伤害的电路结构，其特征在于，所述的静电释放防护模块包括第一静电阻抗器及第二静电阻抗器；所述的第一静电阻抗器的第一端构成所述的静电释放防护模块的第一端，所述的第二静电阻抗器的第一端构成所述的静电释放防护模块的第二端；所述的第一静电阻抗器的第二端与所述的第二静电阻抗器的第二端相连接共同构成所述的静电释放防护模块的第三端；所述的第一静电阻抗器的第三端与所述的第二静电阻抗器的第三端共同构成所述的静电释放防护模块的第四端。
8.根据权利要求7所述的用于抗静电伤害的电路结构，其特征在于，所述的第一静电阻抗器及第二静电阻抗器均由BAV99器件构成。
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