[实用新型]适用于覆铜陶瓷基板双面烧结的烧结治具有效
申请号: | 201920852187.6 | 申请日: | 2019-06-06 |
公开(公告)号: | CN209766376U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 马贤锋;刘建伟;于立鹏 | 申请(专利权)人: | 浙江杭机新型合金材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;F27B21/08 |
代理公司: | 32260 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王闯 |
地址: | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 覆铜陶瓷基板 烧结 压件 治具 本实用新型 传送带 双面烧结 梯形结构 压制烧结 支撑空间 固定的 支撑 制作 保证 | ||
本实用新型提供一种适用于覆铜陶瓷基板双面烧结的烧结治具,其中该烧结治具内设置有梯形结构的支撑空间,可支撑不同尺寸的覆铜陶瓷基板,使得覆铜陶瓷基板不会直接接触传送带;烧结治具上设置压件,压件压制烧结过程中的覆铜陶瓷基板,起到支撑和固定的作用,保证烧结的质量;压件的位置可根据实际情况进行调节,适用于不同尺寸的覆铜陶瓷基板的制作。
技术领域
本实用新型涉及烧结治具领域,特别涉及一种适用于覆铜陶瓷基板双面烧结的烧结治具。
背景技术
烧结,指的是粉末或粉末压坯加热到低于其中基本成分的熔点的温度,然后以一定的方法和速度冷却到室温,使得粉末颗粒之间发生粘结,烧结体的强度增加,把粉末颗粒的聚集体变成为晶粒的聚结体,从而获得所需的物理、机械性能的制品或材料的加工工艺。烧结工艺在很多复合材料、合金材料的制作上有着广泛的应用。
其中,覆铜陶瓷基板,就是将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料,然而覆铜陶瓷基板有一大特点就是双面均覆盖有铜箔,在实际的生产过程中存在以下问题:其一,在烧结第二面的铜箔时,第一面的铜箔会和传送带直接接触,在一些情况下铜箔和传送带之间产生额外的反应作用,从而影响第一面铜箔的烧结的结果;其二,且在烧结第二面的铜箔的时候,第一面的铜箔会受热而膨胀变形,虽然在降温后其可恢复原形,但是由于铜片和陶瓷的膨胀系数不同,在恢复形状时还会产生铜层位置偏移的情况。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种适用于覆铜陶瓷基板双面烧结的烧结治具,其中该烧结治具可支撑不同尺寸的覆铜陶瓷基板,使得覆铜陶瓷基板不会直接接触传送带;烧结治具上设置压件,压件压制烧结过程中的覆铜陶瓷基板,起到支撑和固定的作用,保证烧结的质量;压件的位置可根据实际情况进行调节,适用于不同尺寸的覆铜陶瓷基板的制作。
为了实现以上任一实用新型目的,本实用新型提供适用于覆铜陶瓷基板双面烧结的烧结治具,包括支撑座主体以及置于支撑座主体上的压件组件;其中支撑座主体包括支撑座底座,分置于支撑座底座表面两侧的支撑座左侧座以及支撑座右侧座,且支撑座左侧座以及支撑座右侧座上的倾斜面相对设置,以在支撑座主体内定义形成上侧开口小下侧开口大的支撑空间,支撑座左侧座以及支撑座右侧座的倾斜面上设置有呈现T字状的第一槽体以及位于第一槽体侧边的固定孔;其中压件组件包括压件压板,压件连接件以及压件固定件,压件压板垂直于压件连接件设置,形成T字结构,压件固定件和固定孔配合固定压件组件和支撑座主体。
在一些实施例中,第一槽体的上槽面贯通支撑座主体的上侧,第一槽体包括内凹于支撑座左侧座和支撑座右侧座的内凹槽以及延伸于内凹槽两侧的边槽。
在一些实施例中,压件连接件的形状尺寸匹配边槽的形状尺寸,当压件连接件置于边槽内,压件压板从内凹槽中向外凸起。
在一些实施例中,固定孔间隔地设置于第一槽体的一侧或者两侧。
在一些实施例中,压件连接件靠近固定孔的一侧活动设置有压件固定件,压件连接件和压件固定件之间设置有弹簧。
在一些实施例中,压件固定件为活动于压件连接件的柱体,该压件固定件的尺寸不大于固定孔的尺寸。
在一些实施例中,压件连接件上对应固定孔的位置设置通孔,当压件连接件活动至设定位置时,在通孔和固定孔内插入压件固定件。
在一些实施例中,支撑座底座上形成有通气孔。
在一些实施例中,支撑座主体上设置有连接组件,该连接组件包括置于相对两侧的连接凹槽和连接凸起。
在一些实施例中,连接凹槽设置在支撑座左侧座以及支撑座右侧座中任一的外侧壁上,对应的,支撑座左侧座以及支撑座右侧座中未设置有连接凹槽的一侧座的外侧壁上设置连接凸起,其中连接凹槽和连接凸起的形状匹配。
相较现有技术,本实用新型具有以下的技术效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造