[实用新型]轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片以及太阳能电池

说明书

本实用新型提供了一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片以及太阳能电池，所述轻掺杂基片包括依次连接的P型硅片层、N型硅层、第一磷硅玻璃层、氧化层以及第二磷硅玻璃层；本实用新型的轻掺杂基片在后续重掺杂过程中，一方面能够增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性，另一方面能够降低重掺杂区的方阻值，从而降低银硅接触电阻；带有选择性发射极的基片中的重掺杂区磷含量较高，重掺杂区方阻较低且均匀，得到的太阳能电池具有较高的光转化效率。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池领域，涉及一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片以及太阳能电池。

背景技术

激光掺杂选择性发射极(LDSE)是是利用激光光束选择性的照射硅表面，使硅衬底变成熔融状态，掺杂原子可以迅速进入熔融硅中，当激光光束消失后，熔融的硅冷却结晶，掺杂原子就进入硅晶体中，形成重掺杂区。

在进行LDSE掺杂前，首先进行第一次扩散，扩散的磷硅玻璃层是LDSE 掺杂源的来源。目前，为了保证电池效率，第一次扩散的方阻偏高，磷硅玻璃层厚度偏低，磷含量不高。导致LDSE的过程中，掺杂区域容易方阻不均匀，且掺杂方阻无法做到很低。

CN107394012A公开了一种硅片激光掺杂SE的扩散工艺，所述工艺是在硅片表面形成扩散第一层磷层和扩散第二磷层后，增加附磷层沉积处理而在扩散后硅表面形成附磷层，该附磷层不仅解决了激光烧蚀后的PSG浓度不够的问题，同时附磷层在后续的洗磷工艺中很容易除去，能够有效解决激光掺杂时因PSG 浓度低造成欧姆接触不良填充因子低的问题，但激光掺杂时的能量较高，中间没有氧化层层缓冲层，会导致掺杂方阻不均匀。并且其扩散第二磷层在后续处理中可能会损坏掺杂的磷层，从而影响掺杂区方阻的均匀性。

CN106206847A公开了一种基于低压扩散炉的超低浓度POCl₃高温扩散方法，包括如下步骤：(1)进舟；(2)磷沉积；(3)升温推结；(4)降温氧化；(5) 出舟；在50-100mBar低压环境下，采用低温沉积、高温分布无氧推进方式，实现了超低POCl₃浓度的磷扩散，POCl₃浓度仅有常规工艺的10％，该扩散方法能够明显提升电池片的开路电压，降低载气用量，从而保证方阻的均匀性和稳定性，但是其方阻的均匀性和稳定性仍有待提升。

CN102945797A公开了一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺，包括进舟步骤、沉积步骤、推进步骤和出舟步骤，所述进舟步骤、沉积步骤反应温度均低于800摄氏度。优选的，所述沉积步骤与推进步骤二者至少之一是按温度不同分步进行的。进一步的，所述沉积步骤分为第一步沉积和第二步沉积；所述推进步骤包括第一步推进和第二步推进。优选的，所述进舟步骤和沉积步骤之间还有氧化步骤，所述氧化步骤包括向反应容器内通入氧气。该实用新型所述的低温低表面浓度高方阻扩散工艺，在沉积和扩散步骤相对传统工艺降低了反应温度，从而降低了表面复合速率，同时在多晶硅扩散过程中较低的扩散温度使得杂质更有利于朝吸杂点迁移，进而提高了电池效率，但是其电池效率仍有待提高。

因此，开发一种便于后续能够增加重掺杂区域方阻的均匀性以及降低重掺杂区方阻从而提高太阳能电池光转化效率的轻掺杂基片非常有必要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片以及太阳能电池，所述轻掺杂基片在用于后续重掺杂过程中，一方面能够增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性，另一方面能够降低重掺杂区的方阻值，从而降低银硅接触电阻；通过该轻掺杂基片制备的带有选择性发射极的基片中重掺杂区磷含量较高，重掺杂区方阻较低且均匀。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型的目的之一在于提供一种轻掺杂基片，所述轻掺杂基片包括依次连接的P型硅片层、N型硅层、第一磷硅玻璃层、氧化层以及第二磷硅玻璃层。