[实用新型]轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片以及太阳能电池有效
| 申请号： | 201920840154.X | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN209804689U | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;袁中存;费正洪 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 224431 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 重掺杂区 轻掺杂 选择性发射极 本实用新型 磷硅玻璃层 太阳能电池 掺杂均匀性 光转化效率 硅片表面 接触电阻 依次连接 掺杂源 氧化层 重掺杂 方阻 | ||
1.一种轻掺杂基片，其特征在于，所述轻掺杂基片包括依次连接的P型硅片层(1)、N型硅层(2)、第一磷硅玻璃层(3)、氧化层(4)以及第二磷硅玻璃层(5)。
2.根据权利要求1所述的轻掺杂基片，其特征在于，所述P型硅片层(1)的厚度为160±20μm。
3.根据权利要求1所述的轻掺杂基片，其特征在于，所述N型硅层(2)的厚度为0.3±0.2μm。
4.根据权利要求1所述的轻掺杂基片，其特征在于，所述第一磷硅玻璃层(3)的厚度为20±10nm。
5.根据权利要求1所述的轻掺杂基片，其特征在于，所述第一磷硅玻璃层(3)为磷的含量是(5～7)×10e20cm-3的磷硅玻璃层。
6.根据权利要求1所述的轻掺杂基片，其特征在于，所述氧化层(4)的厚度为40±20nm；
优选地，所述氧化层(4)为氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的轻掺杂基片，其特征在于，所述第二磷硅玻璃层(5)的厚度为20±10nm。
8.根据权利要求1所述的轻掺杂基片，其特征在于，所述第二磷硅玻璃层(5)为磷的含量是(7～9)×10e20cm-3的磷硅玻璃层。
9.一种带有选择性发射极的基片，其特征在于，所述带有选择性发射极的基片为在权利要求1-8任一项所述的轻掺杂基片的非受光区形成重掺杂区，并去除氧化层和第二磷硅玻璃层后的基片。
10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括如权利要求9所述的带有选择性发射极的基片；
优选地，所述太阳能电池包括单面太阳能电池和双面太阳能电池。
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