[实用新型]利于焊接的大电流半导体功率器件

说明书

本实用新型涉及半导体器件，尤其是一种具有一种利于焊接的大电流半导体功率器件，属于半导体器件封装技术领域。所述利于焊接的大电流半导体功率器件包括：引线框架，所述引线框架包括载片基岛区和引脚组件；所述引脚组件包括第一引脚，所述第一引脚包括键合部和引出部；半导体芯片，所述半导体芯片设于所述载片基岛区中，所述半导体芯片通过键合件与第一引脚的键合部连接；封装树脂，所述封装树脂将半导体芯片、键合件以及引脚组件盖封在引线框架上，且所述第一引脚的引出部从所述封装树脂中外露。所述利于焊接的大电流半导体功率器件有大电流能力、低热阻、低寄生电感，且易于PCB焊接，使得电流能力更强。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件，尤其是一种具有一种大电流半导体功率器件，属于半导体器件封装技术领域。

背景技术

电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方面发展，功率半导体封装也随之从通孔向表面安装封装发展。半导体功率器件的表面封装结构大多采用引线框架封装方式，即将划片后的芯片通过焊接材料焊接在引线框架上，再用金属材料连接引线框架的引脚和芯片表面，实现电性连通，最后用树脂材料密封，部分引线框架的引脚露出树脂材料外，作为焊接电极，封装后的产品在应用过程中通过回流焊的方式焊接在PCB上。

随着便携系统的复杂度提升，要求组成系统的单个元器件越来越小，因而会经常使用QFN/DFN (Quad Flat No-Lead/Dual Flat No-Lead)封装。QFN/DFN封装体积小，封装密度提升，并要求大电流能力，QFN/DFN封装伸出树脂材料外的焊接电极，小而短且截面为未电镀部分，导致在SMT过程中和PCB的焊接性能较差，焊接位置位于塑封体的侧面和底面，会造成视觉检测系统难于识别。

半导体功率器件封装中重点考虑的问题包括高热耗散，低寄生电感，半导体器件和周围电路之间的低电阻。在大电流应用中，功率器件的电流能力往往取决于封装引线框架上键合的引线根数以及引脚与PCB板之间的焊接面积。上述提到的QFN/DFN封装，其引脚电流能力小，与PCB版之间的焊接面积小，热阻偏大，导致在大电流的应用中器件性能不佳。

发明内容

为了解决现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种利于焊接的大电流半导体功率器件，所述利于焊接的大电流半导体功率器件有大电流能力、低热阻、低寄生电感，且易于PCB焊接，使得电流能力更强。

根据本实用新型提供的技术方案，作为本实用新型提供一种利于焊接的大电流半导体功率器件，所述利于焊接的大电流半导体功率器件包括：

引线框架，所述引线框架包括载片基岛区和引脚组件；所述引脚组件包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和第二引脚均分别包括键合部和引出部；

半导体芯片，所述半导体芯片设于所述载片基岛区中，所述半导体芯片通过键合件分别与第一引脚和第二引脚的键合部连接；

封装树脂，所述封装树脂将半导体芯片、键合件以及引脚组件盖封在引线框架上，且所述第一引脚和第二引脚的引出部从所述封装树脂中外露。

进一步地，所述半导体芯片包括相对的第一主面和第二主面，半导体芯片的第一主面设于在引线框架的载片基岛区，半导体芯片第二主面通过键合件与引脚组件连接。

进一步地，所述半导体芯片包括IGBT芯片与FRD芯片，或MOSFET芯片。

进一步地，所述MOSFET芯片的第一主面为漏极，第二主面设有栅极和源极；所述MOSFET芯片的源极连接第一引脚的键合部，栅极连接第二引脚的键合部。

进一步地，所述IGBT芯片的第一主面为集电极，第二主面设有栅极和发射极，IGBT芯片的发射极连接第一引脚的键合部，栅极连接第二引脚的键合部；

所述FRD芯片的第一主面为阴极，第二主面为阳极，FRD芯片的阳极连接第一引脚的键合部。