[实用新型]利于焊接的大电流半导体功率器件有效
| 申请号： | 201920812348.9 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN209804635U | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;朱久桃;叶鹏;杨卓 | 申请（专利权）人： | 无锡电基集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L23/495 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 大电流 引脚 半导体功率器件 焊接 封装树脂 引脚组件 引线框架 键合部 引出部 键合 半导体器件封装 电感 半导体器件 本实用新型 电流能力 低寄生 低热阻 岛区 盖封 基岛 片基 载片 | ||
1.一种利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述利于焊接的大电流半导体功率器件包括：
引线框架（100），所述引线框架（100）包括载片基岛区（110）和引脚组件；所述引脚组件包括第一引脚（120）和第二引脚（140），所述第一引脚（120）和第二引脚（140）均分别包括连为一体的键合部（131）和引出部（132）；
半导体芯片（200），所述半导体芯片（200）设于所述载片基岛区（110）中，所述半导体芯片（200）通过键合件（300）分别与第一引脚（120）和第二引脚（140）的键合部（131）连接；
封装树脂（400），所述封装树脂（400）将半导体芯片（200）、键合件（300）以及引脚组件盖封在引线框架（100）上，且所述第一引脚（120）和第二引脚（140）的引出部（132）从所述封装树脂（400）中外露。
2.如权利要求1所述的利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述半导体芯片（200）包括相对的第一主面和第二主面（210），半导体芯片（200）的第一主面设于引线框架（100）的载片基岛区（110）上，半导体芯片（200）第二主面（210）通过键合件（300）与引脚组件连接。
3.如权利要求2所述的利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述半导体芯片（200）包括IGBT芯片与FRD芯片，或MOSFET芯片。
4.如权利要求3所述的利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述MOSFET芯片的第一主面为漏极，第二主面（210）设有栅极和源极；所述MOSFET芯片的源极连接第一引脚（120）的键合部（131），栅极连接第二引脚（140）的键合部（131）。
5.如权利要求3所述的利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，
所述IGBT芯片的第一主面为集电极，第二主面（210）设有栅极和发射极，IGBT芯片的发射极连接第一引脚（120）的键合部（131），栅极连接第二引脚（140）的键合部（131）；
所述FRD芯片的第一主面为阴极，第二主面（210）为阳极，FRD芯片的阳极连接第一引脚（120）的键合部（131）。
6.如权利要求1所述的利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述第二引脚（140）与所述第一引脚（120）由所述封装树脂（400）隔离。
7.如权利要求1所述的利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述第一引脚（120）的引出部（132）有多个，多个所述第一引脚（120）的引出部（132）呈梳齿状。
8.如权利要求7所述的利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，第二引脚（140）引出部（132）以及每个第一引脚（120）引出部（132）的宽度范围为0.5mm~3mm，长度范围为0.65mm~10mm；第一引脚（120）的相邻两个引出部（132）之间的距离范围为0.5mm~3mm。
9.如权利要求1所述的利于焊接的大电流半导体功率器件，其特征在于，所述键合件（300）为金属引线或金属片。
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