[实用新型]一种运行稳定且密封性能良好的晶体生长炉提拉头

说明书

本实用新型公开了一种运行稳定且密封性能良好的晶体生长炉提拉头，密封装置（3），所述的密封装置包括第一密封盖（301）、第二密封盖（302）以及第三密封盖（303），第一密封盖（301）、第二密封盖（302）、第三密封盖（303）以及上立柱（1）形成一个将滚珠丝杠（103）和导轨（102）包围的封闭空间。本实用新型采用步进电机直接驱动精密滚珠丝杠，同时配合多导轨的限制，进一步提高了提拉动作的稳定性，在整个提拉的过程中密封盖可阻挡运行过程中灰尘的进入，解决了提拉过程中运动部件的防尘密封问题，制得的晶体质量得到了明显的改善。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长设备领域，特别是涉及一种运行稳定且密封性能良好的晶体生长炉提拉头。

背景技术

直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是一直常见的从熔体重提拉生长高质量晶体的方法，该方法可以用于生产无色蓝宝石、红宝石、钇铝榴石、 钆镓榴石、变石和尖晶石等重要的宝石晶体。其基本原理如下：是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在炉中加热融化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在一定条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或者分子的重新排列，随着温度逐渐凝固而生长出晶体，在熔化和凝固的过程中，需要提拉设备不断的提拉和旋转，才能达到符合晶体生长的条件。

现有的提拉头结构大为丝杠加单导轨，减速器的减速比小，也有采用双导轨的方式，比如本公司申请的专利，专利号：2016208925537，专利名称：晶体生长用提供铱杆，就是在现有单导轨的基础上进行的改进，采用双导轨的方式进行，但随着提拉铱杆上的重量增加、对晶体提拉精度以及均匀性要求的不断提高，需要进一步增加提拉头的运行稳定度，由于滑座的上下移动需要带动铱做提拉运动，现有的方式多采用气缸直接推动滑座，无论是单导轨还是双导轨的方式，由气缸驱动往往受力不均匀，若双导轨双气缸驱动，双气缸作用时间及大小也不精确，容易造成提拉动作的不稳定，同时，现在又的提拉头运动部件（基座与导轨）往往裸露在外，运动部件的防尘密封性较差，提供工程中的灰尘极易落入滑座中，影响提拉精度，造成滑座运行不稳定，时间一长灰尘也不容易清洗，会严重地影响晶体质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种运行稳定且密封性能良好的晶体生长炉提拉头，能够克服现有技术的不足，提高提拉动作的稳定性，解决提拉过程中运动部件的防尘密封问题，增加提拉的精度和晶体生长的均匀性，改善晶体质量。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种运行稳定且密封性能良好的晶体生长炉提拉头，包括上立柱和滑座，所述的上立柱的顶部设置有安装板，上立柱的底部设置有连接板，上立柱上设置有滚珠丝杠以及分布在滚珠丝杠两侧的导轨，安装板上安装有驱动滚珠丝杠的步进电机，所述的导轨以及滚珠丝杠的布置方向与提拉头的提拉方向一致，滑座安装在滚珠丝杠上并在步进电机的驱动下在滚珠丝杠和导轨上作往复的提拉运动；滑座上设置有与滚珠丝杠配合的螺纹孔，通过精密的螺纹传动，将步进电机电机轴的输出转化为滑座在丝杠上的动作，从而带动铱杆做上下往复的提拉运动。

所述的滑座上面向上立柱的一侧设置有第一安装槽和第二安装槽，滑座中还设置有贯穿的第三安装槽；

所述的提拉头还包括密封装置，所述的密封装置包括第一密封盖、第二密封盖以及第三密封盖，第一密封盖安装在第一安装槽中，第二密封盖安装在第二安装槽中，第三密封盖安装在第三安装槽中，其中，第一密封盖、第二密封盖、第三密封盖以及上立柱形成一个将滚珠丝杠和导轨包围的封闭空间。

所述的导轨的数量不低于两条，作为优选的，导轨的数量为偶数条，且对称分布在滚珠丝杠的两侧，进一步提高提拉运动的稳定程度。

所述的第三安装槽的方向与提拉头的提拉方向一致。

所述的步进电机和滚珠丝杠之间设置有用于调速的变速齿轮箱，变速齿轮箱可以有效调节提拉速度，可以满足不同晶体的提拉要求。

所述的滑座上设置有与导轨配合的滑槽。