[实用新型]一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件

权利要求书

1.一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，包括：

栅介质层；

基区，位于所述栅介质层的两侧；

掩蔽层，位于所述栅介质层的下表面；

漂移层，位于所述基区和所述掩蔽层的下表面；

衬底层，位于所述漂移层的下表面；

漏极，位于所述衬底层的表面；

多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；

栅极，位于所述多晶硅层的上表面；

第一源区，位于所述基区的部分区域的上表面；

第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；

源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。

2.根据权利要求1所述的碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，所述衬底层为N型掺杂的SiC衬底。

3.根据权利要求2所述的碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，所述衬底层的掺杂浓度为5×10¹⁸～1×10²⁰/cm³。

4.根据权利要求1所述的碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，所述掩蔽层为截面为倒T形的P+型掩蔽层。

5.根据权利要求4所述的碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，所述掩蔽层的掺杂元素为B元素或Al元素。

6.根据权利要求5所述的碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，所述B元素或者所述Al元素的掺杂浓度均为1×10¹⁸～5×10¹⁸/cm³。

7.根据权利要求1所述的碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，所述第一源区的掺杂元素为B元素或Al元素。

8.根据权利要求1所述的碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，所述第二源区的掺杂元素为P元素或N元素。

9.根据权利要求1所述的碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，其特征在于，所述多晶硅层的掺杂元素为B元素或者Al元素，所述B元素或者所述Al元素的掺杂浓度均为1×10¹⁹～1×10²⁰/cm³。