[实用新型]一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片

说明书

本实用新型公开了一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片，包括依次连接的微带线TL1、场效应管SW2、微带线TL2、微带线TL3、场效应管SW1、微带线TL4、微带线TL5、场效应管SW3、微带线TL6、微带线TL7、场效应管SW4、微带线TL8，和场效应管SW5、场效应管SW6，所述微带线TL1的上端、微带线TL8的下端均接地；所述场效应管SW2、场效应管SW1、场效应管SW3、场效应管SW4、场效应管SW5、场效应管SW6的栅极均分别连接VC2端、VC1端、VC5端、VC6端、VC3端、VC4端。本实用新型频率范围覆盖DC‑18GHz，用于信号传输通路选择，广泛应用于雷达、通信、仪器仪表等领域。

技术领域

本实用新型涉及无线通信技术领域，具体的涉及一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片。

背景技术

自麦克斯韦提出电磁理论以来，人们就不断拓展电磁频谱的应用。二战期间，厘米波技术，也就是我们统称的微波技术得到了迅速发展，在制导、雷达、导航、电子战、通信以及众多的民用系统中得到了广泛的应用。随着微波频谱的日益拥挤，加之精确武器的发展需求，促使人们开拓新的频谱资源，毫米波正是在这样的背景下越来越受到重视。根据频率划分，毫米波一般指的是波长介于1mm～10mm的电磁波，随着无线通信的发展，射频开关得到了广泛的应用，如雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器。在此前提下，人们对于射频开关提出了越来越高的要求，如超宽带、低插损声、高隔离度、多通道和小型化等。

单刀三掷开关(SP3T，Single Pole three Throw)是用作射频信号通路选择的器件，广泛应用于多波束雷达、相控阵雷达、电子对抗技术、基站、仪表仪器等等方面；其损耗的大小，直接影响着整个系统的噪声性能；其隔离的程度，也直接决定了系统各信道间的隔离度。因此，低损耗、高功率、超宽带、高性能的射频开关，以及很短开关时间的毫米波开关对毫米波系统设计有着重要的意义。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片，目的在满足在超宽带应用场景下能保持高性能。

本实用新型采用下述的技术方案：

一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片，包括依次连接的微带线TL1、场效应管SW2、微带线TL2、微带线TL3、场效应管SW1、微带线TL4、微带线TL5、场效应管SW3、微带线TL6、微带线TL7、场效应管SW4、微带线TL8，和场效应管SW5、场效应管SW6、微带线TL9、微带线TL11、微带线TL13、微带线TL16，所述微带线TL1的上端、微带线TL8的下端均接地；

所述场效应管SW5的漏极和源极分别设有微带线TL10和微带线TL12，场效应管SW6的漏极和源极分别设有微带线TL15和微带线TL14，所述微带线TL10的左端连接在微带线TL4、微带线TL5之间，微带线TL12右端接微带线TL14下端，微带线TL15上端接地；

所述场效应管SW2、场效应管SW1、场效应管SW3、场效应管SW4、场效应管SW5、场效应管SW6的栅极均分别连接VC2端、VC1端、VC5端、VC6端、VC3端、VC4端。

优选的，射频输入端RFIN通过微带线TL9连接在微带线TL4、微带线TL5之间，射频输出端RFOUT1通过微带线TL16连接在微带线TL2、微带线TL3之间，射频输出端RFOUT2通过微带线TL13连接在微带线TL12、微带线TL14之间，射频输出端RFOUT3通过微带线TL11连接在微带线TL6、微带线TL7之间。

优选的，所述场效应管SW1、场效应管SW2、场效应管SW3、场效应管SW4、场效应管SW5、场效应管SW6均采用-5V/0V电平逻辑控制。

优选的，所述射频输入端RFIN、射频输出端RFOUT1、射频输出端RFOUT2、射频输出端RFOUT3均匹配50欧姆阻抗。

本实用新型的有益效果是：