[实用新型]一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片有效
| 申请号： | 201920774016.6 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN210120540U | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 陈慧青;罗力伟;王祁钰 | 申请（专利权）人： | 四川益丰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 房立普 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 性能 单刀 开关 芯片 | ||
1.一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片，其特征在于，包括依次连接的微带线TL1、场效应管SW2、微带线TL2、微带线TL3、场效应管SW1、微带线TL4、微带线TL5、场效应管SW3、微带线TL6、微带线TL7、场效应管SW4、微带线TL8，和场效应管SW5、场效应管SW6、微带线TL9、微带线TL11、微带线TL13、微带线TL16，所述微带线TL1的上端、微带线TL8的下端均接地；
所述场效应管SW5的漏极和源极分别设有微带线TL10和微带线TL12，场效应管SW6的漏极和源极分别设有微带线TL15和微带线TL14，所述微带线TL10的左端连接在微带线TL4、微带线TL5之间，微带线TL12右端接微带线TL14下端，微带线TL15上端接地；
所述场效应管SW2、场效应管SW1、场效应管SW3、场效应管SW4、场效应管SW5、场效应管SW6的栅极均分别连接VC2端、VC1端、VC5端、VC6端、VC3端、VC4端。
2.根据权利要求1所述的一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片，其特征在于，射频输入端RFIN通过微带线TL9连接在微带线TL4、微带线TL5之间，射频输出端RFOUT1通过微带线TL16连接在微带线TL2、微带线TL3之间，射频输出端RFOUT2通过微带线TL13连接在微带线TL12、微带线TL14之间，射频输出端RFOUT3通过微带线TL11连接在微带线TL6、微带线TL7之间。
3.根据权利要求1所述的一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片，其特征在于，所述场效应管SW1、场效应管SW2、场效应管SW3、场效应管SW4、场效应管SW5、场效应管SW6均采用-5V/0V电平逻辑控制。
4.根据权利要求2所述的一种超宽带高性能单刀三掷开关芯片，其特征在于，所述射频输入端RFIN、射频输出端RFOUT1、射频输出端RFOUT2、射频输出端RFOUT3均匹配50欧姆阻抗。
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