[实用新型]一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器

说明书

本实用新型公开了一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，包括3db正交耦合器、平衡混频器Ⅰ、同相功分器、平衡混频器Ⅱ、低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ、合路器，所述3db正交耦合器的左上端接射频输入端RF，左下端接地，右上端、右下端分别接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输入端，同相功分器的输出端接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输入端，平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输出端分别连接低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输入端，低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输出端接合路器的输入端，所述平衡混频器Ⅱ与低通滤波器Ⅱ之间设有90°移相电路。本实用新型采用特殊电路匹配结构，在满足阻抗匹配的同时，具有较低的变频损耗以及高混频输入输出频差。

技术领域

本实用新型涉及无线通信技术领域，具体的涉及一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器。

背景技术

根据频率划分，毫米波一般是指的波长介于1mm-10mm的电磁波，其中W波段是毫米波中的重要频段，随着无线通信的发展，W波段的混频器得到了广泛的应用，应用范围包括该波段的雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器等。在此前提下，人们对混频器芯片提出了越来越高的要求，如低变频损耗、高混频输入输出频差和小型化等。

混频器芯片(FM，Mixer)是用作各类信号源模块或系统的信号频率混频的器件，无论作为单独工作混频器件还是集成于大型复杂信号源系统中，均起着核心作用。应用于雷达、基站、仪表仪器等产品。因此，低变频损耗、高混频输入输出频差、高性能的倍频器芯片，对于提高系统性能起到了关键性的作用。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，目的在于该混频器采用特殊电路匹配结构，在满足阻抗匹配的同时，具有较低的变频损耗以及高混频输入输出频差。

本实用新型采用下述的技术方案：

一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，包括3db正交耦合器、电阻R1、平衡混频器Ⅰ、同相功分器、平衡混频器Ⅱ、低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ、合路器，所述3db正交耦合器的左上端接射频输入端RF，左下端通过电阻R1接地，右上端、右下端分别接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输入端，所述同相功分器的输出端连接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的本振信号LO输入端，向功分器的输入端连接本振信号LO，所述平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输出端分别连接低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输入端，低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输出端接合路器的输入端，所述平衡混频器Ⅱ与低通滤波器Ⅱ之间设有90°移相电路，所述3db正交耦合器的左下端与接地之间设有电阻R1。

优选的，所述3db正交耦合器包括微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、 lange桥，所述微带线TL1的左端接射频输入端RF，右端接lange桥的左上端，所述lange桥的左下端接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接地；lange桥的右上端接微带线TL2，右下端接微带线TL3。

优选的，所述平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ结构、元器件参数、功能均相同，平衡混频器Ⅰ、平衡混频器Ⅱ均包括微带线TL4、微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、微带线TL16、二极管D1、二极管D2、电容C1，所述微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8串联后与串联后的微带线TL9、微带线TL10并联，微带线TL4的一端连接在微带线TL5与微带线TL10之间，微带线TL16的一端连接在微带线TL8、微带线TL9之间；