[实用新型]一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器

权利要求书

1.一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，其特征在于，包括3db正交耦合器、电阻R1、平衡混频器Ⅰ、同相功分器、平衡混频器Ⅱ、低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ、合路器，所述3db正交耦合器的左上端接射频输入端RF，左下端通过电阻R1接地，右上端、右下端分别接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输入端，所述同相功分器的输出端连接平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的本振信号LO输入端，向功分器的输入端连接本振信号LO，所述平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ的输出端分别连接低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输入端，低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ的输出端接合路器的输入端，所述平衡混频器Ⅱ与低通滤波器Ⅱ之间设有90°移相电路，所述3db正交耦合器的左下端与接地之间设有电阻R1。

2.根据权利要求1所述的一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，其特征在于，所述3db正交耦合器包括微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、lange桥，所述微带线TL1的左端接射频输入端RF，右端接lange桥的左上端，所述lange桥的左下端接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接地；lange桥的右上端接微带线TL2，右下端接微带线TL3。

3.根据权利要求1所述的一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，其特征在于，所述平衡混频器Ⅰ和平衡混频器Ⅱ结构、元器件参数、功能均相同，平衡混频器Ⅰ、平衡混频器Ⅱ均包括微带线TL4、微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、微带线TL16、二极管D1、二极管D2、电容C1，所述微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8串联后与串联后的微带线TL9、微带线TL10并联，微带线TL4的一端连接在微带线TL5与微带线TL10之间，微带线TL16的一端连接在微带线TL8、微带线TL9之间；

所述微带线TL11、微带线TL14的一端均接地，微带线TL11的另一端接在微带线TL5、微带线TL6之间，微带线TL14的另一端接在微带线TL9、微带线TL10之间，所述微带线TL12的一端接在微带线TL5、微带线TL6之间，另一端接二极管D1的正极，所述微带线TL13的一端接在微带线TL9、微带线TL10之间，另一端接二极管D2的负极，所述二极管D1的负极，二极管D2的正极均接在微带线TL15的一端，所述微带线TL15的另一端接电容C1的一端，电容C1的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，其特征在于，所述同相功分器包括微带线TL17、微带线TL18、微带线TL19、微带线TL20、微带线TL21、电阻R2、电阻R3，所述微带线TL18、微带线TL20的左端均连接微带线TL17的右端，微带线TL18、微带线TL20的右端分别连接微带线TL19和微带线TL21的左端，电阻R2的上端连接在微带线TL18与微带线TL19之间，下端接电阻R3，电阻R3的下端连接在微带线TL20与微带线TL21之间。

5.根据权利要求1所述的一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，其特征在于，所述90°移相电路包括电感L1、电感L2、电容C3，所述电感L1、电感L2串联连接，电容C3的上端连接在电感L1和电感L2之间，下端接地。

6.根据权利要求1所述的一种W波段的高性能GaAs MMIC无源下混频器，其特征在于，所述低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ结构、元器件参数、功能均相同，所述低通滤波器Ⅰ、低通滤波器Ⅱ均包括电感L3、电容C4、电容C5，所述电容C4、电容C5的上端分别和电感L3的两端连接，下端均接地。