[实用新型]一种用于PVT法生长碳化硅晶体的装料装置

说明书

本实用新型公开了一种用于PVT法生长碳化硅晶体的装料装置，包括底座、桩杆、测量尺、卡槽、盛放槽、坩埚、筛网壳、筛网、第一固定杆、平整扇外壳、第二固定杆、转轴和平整扇。本实用新型的有益效果是：平整扇焊接设置在转轴的底部并与平整扇外壳之间呈转动连接，且转轴上设置有“Z”型摇杆并与平整扇直接进行焊接连接，防止粉料填装到坩埚中不可避免会存在局部高堆积密度的部分，颗粒在该部分会结合在一起，这样也会导致升华气体的面内组份不均匀。

技术领域

本实用新型涉及一种装料装置，具体为一种用于PVT法生长碳化硅晶体的装料装置，属于半导体技术领域。

背景技术

碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料，由于其优异的物理和电学性能，在高温、大功率等领域有着广阔的应用前景，对于碳化硅的晶体结构，确认有多种多型，其代表性的实例包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等，目前能够获得单晶体的只有4H-SiC，6H-SiC，其中4H-SiC由于更为优异的性能，更适宜于功率半导体器件的制备)，在制造体单晶时，重要的是抑制产生期望单晶以外的其它多型，即抑制产生不同的多型，因为混入的不同的多型导致产生由于晶体失配引起的称为微管缺陷的中空孔状晶体缺陷，结果晶体品质显著劣化。

因此，则需要一种用于PVT法生长碳化硅晶体的装料装置来满足目前市面上的需求，虽然目前市面上已经生产出来了多种用于PVT法生长碳化硅晶体的装料装置，但总的来看，却仍然存在着很多的通病，其一、采用PVT法生长SiC，在装料过程中，原料颗粒大小不一，均匀性差，结果粉料会以局部不平衡的方式存在，在这种状态下粉料被加热并升华，升华气体的面内组份变得不均匀，由此可能导致产生不同的多型，其二、粉料填装到坩埚中不可避免会存在局部高堆积密度的部分，颗粒在该部分会结合在一起，这样也会导致升华气体的面内组份不均匀。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于PVT法生长碳化硅晶体的装料装置。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：一种用于PVT法生长碳化硅晶体的装料装置，包括底座、桩杆、测量尺、卡槽、盛放槽、坩埚、筛网壳、筛网、第一固定杆、平整扇外壳、第二固定杆、转轴和平整扇；所述底座位于桩杆的底部，所述桩杆焊接设置在底座上，所述测量尺位于桩杆的表面上，所述卡槽设置在桩杆内，所述盛放槽呈内凹式设置在底座的中间部位，所述坩埚位于盛放槽内，所述筛网壳构成筛网的主体结构，所述筛网位于筛网壳上，所述第一固定杆焊接设置在筛网壳的顶面，所述平整扇外壳构成平整扇的主体结构，所述第二固定杆焊接设置在平整扇外壳的顶面，所述转轴焊接设置在平整扇外壳的顶部端口处，所述平整扇连接设置在转轴的底部。

优选的，为了保证装置的稳定性，所述桩杆通过高温一次性焊压的方式焊接在底座上，且桩杆以盛放槽为中心并互呈60度夹角。

优选的，为了方便记录装料的粗略高度，所述卡槽呈向内凹陷式设置在桩杆上并设置有多个，且多个卡槽之间呈等距竖直设置并位于测量尺中间。

优选的，为了防止在装料过程中，原料颗粒大小不一，均匀性差，结果粉料会以局部不平衡的方式存在，在这种状态下粉料被加热并升华，升华气体的面内组份变得不均匀，由此可能导致产生不同的多型，所述筛网是由不同粒径的筛网组成，且该筛网通过第一固定杆与卡槽相互卡扣结合进行连接固定。

优选的，为了防止粉料填装到坩埚中不可避免会存在局部高堆积密度的部分，颗粒在该部分会结合在一起，所述平整扇焊接设置在转轴的底部并与平整扇外壳之间呈转动连接，且转轴上设置有“Z”型摇杆并与平整扇直接进行焊接连接。