[实用新型]一种超高压直流电路浪涌电流抑制器

说明书

本实用新型公布了一种高压直流电路浪涌电流抑制器，用于高压直流电路中的浪涌电流抑制它包括一MOS管V1、一电阻R1和一电容C1；MOS管V1的源极与负电压输入端连接，MOS管V1的漏极与负电压输出端连接，MOS管的栅极串联电阻R1后与正电压输入端连接；电容C1一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过所述电阻R1和所述电容C1调整所述MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟所述MOS管V1的开启。通过电阻器R1和电容器C1调整N沟道MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟MOS管的开启；可通过电阻器R4阻值的调节来调节浪涌电流的抑制幅值，能够实现不影响EMI滤波器电磁兼容性能的同时解决了浪涌电流抑制问题。

技术领域

本实用新型涉及高压直流电路技术领域，尤其涉及一种超高压直流电路浪涌电流抑制器。

背景技术

由于线间电容器的存在，通电瞬间电容器相当于短路，在电路中产品有较高的浪涌电流。机载高压为270V直流，由于高容值滤波电容器的存在，导致高压直流电路在启动时的浪涌电流为常用28V直流电路浪涌电流的将近10倍左右。使用常规加装电阻器限流的方法就需要高阻值、大功率的电阻器，但又造成较大压降及功耗，已不满足实际使用需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种超高压直流电路浪涌电流抑制器，解决了现常规加装电阻器限流的方法存在的不足。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：一种高压直流电路浪涌电流抑制器，用于高压直流电路中的浪涌电流抑制它包括一MOS管V1、一电阻R1和一电容C1；所述MOS管V1的源极与负电压输入端连接，所述MOS管V1的漏极与负电压输出端连接，所述MOS管的栅极串联所述电阻R1后与正电压输入端连接；所述电容C1一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过所述电阻R1和所述电容C1调整所述MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟所述MOS管V1的开启。

进一步地，还包括一电阻R4，所述电阻R4的一端与所述MOS管V1的漏极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过调节电阻R4的阻值来调节浪涌电流的抑制幅值。

进一步地，还包括一二极管D1，所述二极管D1连接在所述电阻R1和所述正电压输入端之间。

进一步地，还包括一电阻R2、一二极管D2和电阻R3；所述电阻R2和所述二极管D2的一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；所述电阻R3的一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与正电压输出端连接。

进一步地，所述MOS管V1为N沟道MOS管；所述电容C1为充电电容。

进一步地，所述二极管D1为快恢复二极管，所述二极管D2为稳压二极管，所述电阻R1、所述电阻R3和所述电阻R4为限流电阻，所述电阻R2为分压电阻。

本实用新型具有以下优点：一种超高压直流电路浪涌电流抑制器，通过电阻器R1和电容器C1调整N沟道MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟MOS管的开启；可通过电阻器R4阻值的调节来调节浪涌电流的抑制幅值，能够实现不影响EMI滤波器电磁兼容性能的同时解决了浪涌电流抑制问题。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。