[实用新型]一种超高压直流电路浪涌电流抑制器

权利要求书

1.一种高压直流电路浪涌电流抑制器，用于高压直流电路中的浪涌电流抑制；其特征在于：它包括一MOS管V1、一电阻R1和一电容C1；所述MOS管V1的源极与负电压输入端连接，所述MOS管V1的漏极与负电压输出端连接，所述MOS管的栅极串联所述电阻R1后与正电压输入端连接；所述电容C1一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过所述电阻R1和所述电容C1调整所述MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟所述MOS管V1的开启。

2.根据权利要求1所述的一种高压直流电路浪涌电流抑制器，其特征在于：还包括一电阻R4，所述电阻R4的一端与所述MOS管V1的漏极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过调节电阻R4的阻值来调节浪涌电流的抑制幅值。

3.根据权利要求1所述的一种高压直流电路浪涌电流抑制器，其特征在于：还包括一二极管D1，所述二极管D1连接在所述电阻R1和所述正电压输入端之间。

4.根据权利要求1所述的一种高压直流电路浪涌电流抑制器，其特征在于：还包括一电阻R2、一二极管D2和电阻R3；所述电阻R2和所述二极管D2的一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；所述电阻R3的一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与正电压输出端连接。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种高压直流电路浪涌电流抑制器，其特征在于：所述MOS管V1为N沟道MOS管；所述电容C1为充电电容。

6.根据权利要求4所述的一种高压直流电路浪涌电流抑制器，其特征在于：所述二极管D1为快恢复二极管，所述二极管D2为稳压二极管，所述电阻R1、所述电阻R3和所述电阻R4为限流电阻，所述电阻R2为分压电阻。