[实用新型]一种芯片压接结构及半导体封装结构有效
| 申请号： | 201920738658.0 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN210040140U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张雷;杜玉杰;李翠;刘颖含;李金元 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁岩 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电压簧 导向通孔 压接结构 芯片 半导体封装结构 本实用新型 汇流底板 一一对应设置 封装可靠性 压力差作用 尺寸误差 导电连接 顶压导杆 结构加工 连接端面 外部压力 不一致 复位 穿入 | ||
1.一种芯片压接结构，其特征在于，包括：
汇流底板(5)，具有至少一个导向通孔；
至少一个顶压导杆(2)，分别与所述导向通孔一一对应设置，通过导电压簧(3)与所述汇流底板(5)导电连接，在外部压力和所述导电压簧(3)的弹力的压力差作用下，具有穿入所述导向通孔的第一状态和复位的第二状态；
所述导电压簧(3)连接端面为平面。
2.根据权利要求1所述的压接结构，其特征在于，还包括：
调节套(4)，设置在所述汇流底板(5)上，与所述导向通孔一一对应设置，并套设在所述顶压导杆(2)上。
3.根据权利要求2所述的压接结构，其特征在于，所述导电压簧(3)设置在所述顶压导杆(2)与所述调节套(4)之间。
4.根据权利要求2所述的压接结构，其特征在于，所述导电压簧(3)设置在所述顶压导杆(2)与所述汇流底板(5)之间，并套设在所述调节套(4)外侧。
5.根据权利要求4所述的压接结构，其特征在于，所述导电压簧(3)的材料包括：铍铜。
6.根据权利要求1-5任一项所述的压接结构，其特征在于，所述导电压簧(3)包括相互旋绞的第一线带(31)和第二线带(32)，所述第一线带(31)和所述第二线带(32)截面为矩形。
7.根据权利要求2所述的压接结构，其特征在于，所述顶压导杆(2)、所述调节套(4)和所述汇流底板(5)表面具有保护镀层。
8.一种半导体封装结构，其特征在于，包括依次层叠设置的电极板(7)、至少一个芯片(6)和权利要求1-7任一项所述的芯片压接结构。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片(6)与所述顶压导杆(2)背离所述汇流底板(5)的一端连接。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括绝缘外壳(8)，用于固定所述电极板(7)、所述芯片(6)和所述芯片压接结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
