[实用新型]一种垂直面射型的激光结构

说明书

本实用新型提供了一种垂直面射型的激光结构，该垂直面射型的激光结构中，将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。该P型欧姆接触层的尺寸定义了增益限制尺寸，氧化层的未氧化区域的尺寸定义了光学限制尺寸，进而实现了将增益限制和光学限制分开独立控制的高功率单模激光结构。

技术领域

本实用新型涉及激光结构技术领域，更具体地说，涉及一种垂直面射型的激光结构。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的VCSEL结构已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)有别于LED(Light Emitting Diode，发光二极管)和LD(Laser Diode，激光二极管)等其它光源，具有提交小，圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉且易集成大面积阵列等优点，被广泛应用于光通信、光互连和光存储等领域。

但是，目前的垂直面射型的激光结构无法实现高功率单模输出。

实用新型内容

有鉴于此，为解决上述问题，本实用新型提供一种垂直面射型的激光结构，技术方案如下：

一种垂直面射型的激光结构，所述激光结构包括：

衬底；

依次设置在所述衬底一侧的N型布拉格反射镜层、主动层和氧化层，其中，所述氧化层的中心区域为未氧化区域；

设置在所述氧化层背离所述主动层一侧的P型布拉格反射镜层；

设置在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层一侧的P型欧姆接触层；

设置在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层一侧的透明导电层，且覆盖所述P型欧姆接触层；

设置在所述透明导电层背离所述P型布拉格反射镜层一侧的P电极；

贯穿所述P电极的凹槽结构；

其中，所述未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置；

并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。

优选的，所述激光结构还包括：

设置在所述衬底背离所述N型布拉格反射镜层一侧的N电极。

优选的，所述未氧化区域的宽度为5μm-15μm，包括端点值。

优选的，所述P型欧姆接触层的宽度为3μm-10μm，包括端点值。

优选的，所述凹槽结构的宽度为7μm-20μm，包括端点值。

优选的，所述透明导电层为ITO透明导电层或TCO透明导电层。

一种垂直面射型的激光结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧依次形成N型布拉格反射镜层、主动层、氧化层、P型布拉格反射镜层和P型欧姆接触层；

对所述P型欧姆接触层的边缘区域进行蚀刻，直至暴露出所述P型布拉格反射镜层；

在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层的一侧形成透明导电层，且覆盖所述P型欧姆接触层；

对所述激光结构进行适应性台柱蚀刻，形成台柱结构；