[实用新型]一种垂直面射型的激光结构有效
| 申请号： | 201920729861.1 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN209516312U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化区域 垂直面射型 激光结构 凹槽结构 尺寸定义 光学限制 氧化层 高功率单模激光 本实用新型 独立控制 同心设置 衬底 垂直 | ||
1.一种垂直面射型的激光结构，其特征在于，所述激光结构包括：
衬底；
依次设置在所述衬底一侧的N型布拉格反射镜层、主动层和氧化层，其中，所述氧化层的中心区域为未氧化区域；
设置在所述氧化层背离所述主动层一侧的P型布拉格反射镜层；
设置在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层一侧的P型欧姆接触层；
设置在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层一侧的透明导电层，且覆盖所述P型欧姆接触层；
设置在所述透明导电层背离所述P型布拉格反射镜层一侧的P电极；
贯穿所述P电极的凹槽结构；
其中，所述未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置；
并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。
2.根据权利要求1所述的激光结构，其特征在于，所述激光结构还包括：
设置在所述衬底背离所述N型布拉格反射镜层一侧的N电极。
3.根据权利要求1所述的激光结构，其特征在于，所述未氧化区域的宽度为5μm-15μm，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的激光结构，其特征在于，所述P型欧姆接触层的宽度为3μm-10μm，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的激光结构，其特征在于，所述凹槽结构的宽度为7μm-20μm，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的激光结构，其特征在于，所述透明导电层为ITO透明导电层或TCO透明导电层。
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