[实用新型]图像传感器封装结构有效
| 申请号: | 201920709761.2 | 申请日: | 2019-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN209487507U | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
| 发明(设计)人: | 王国建;佘福良 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 无锡知之火专利代理事务所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人: | 袁粉兰 |
| 地址: | 214000 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 基板 填充胶 图像传感器封装结构 本实用新型 第一表面 电性连接 透明盖板 侧板 半导体封装 封装结构 感测性能 控制分配 支撑侧墙 边界处 分配 粘接 封装 溢出 | ||
1.一种图像传感器封装结构,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括第一表面及第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对;
图像传感器,所述图像传感器固定于所述基板上,所述图像传感器包括感光区,所述图像传感器上设置所述感光区一面为所述图像传感器的上表面,与所述上表面相对的一面为所述图像传感器的下表面;
透明盖板,粘接在所述图像传感器上方,所述图像传感器透过所述透明盖板接收感测信号,所述透明盖板上被粘接的一面为所述透明盖板的底面,与所述透明盖板底面相对的一面为透明盖板的顶面;
支撑侧墙,所述支撑侧墙分别与所述透明盖板及所述图像传感器粘接,以使所述透明盖板与所述图像传感器感光区之间形成密封透光区域;所述支撑侧墙围绕所述图像传感器感光区外侧的上表面固定设置;
多个电性连接所述基板与所述图像传感器的引线,并且多个所述引线分布于支撑侧墙的外侧;
侧板,所述侧板密封环绕固定于所述基板边界,并且多个所述引线均位于所述基板与所述侧板围成的填充腔室内,所述侧板邻近所述填充腔室的一侧为内侧;
填充胶,所述填充胶填充于由所述侧板内侧、所述基板第一表面上方以及所述支撑侧墙外侧构成的填充腔室内,所述填充胶的上表面不高于所述透明盖板的顶面。
2.如权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所所述侧板与所述基板垂直,所述侧板与所述基板通过黏合方式固定。
3.如权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述基板与所述侧板一体成型,所述侧板与所述基板一体成型的竖直剖面呈“匚”形。
4.如权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述填充胶的上表面与所述透明盖板的顶面齐平。
5.如权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述填充胶为环氧树脂。
6.如权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述填充胶包括第一填充胶和第二填充胶;所述第一填充胶沿所述支撑侧墙外侧区域包裹所述引线;其中所述第一填充胶的分配高度小于所述透明盖板顶面高度;所述第二填充胶分配于所述第一填充胶的外侧,且所述第二填充胶的上表面与所述透明盖板顶面齐平。
7.如权利要求6所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第一填充胶为环氧树脂,所述第二填充胶为热固化封胶。
8.如权利要求7所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述第二填充胶不透光。
9.如权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述支撑侧墙为玻璃和/或聚酰亚胺和/或酰胺树脂,所述支撑侧墙通过黏合剂分别与所述透明盖板及所述图像传感器上表面紧密粘接。
10.如权利要求1所述的图像传感器封装结构,其特征在于,所述支撑侧墙为热固化封胶或UV胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积高电子(无锡)有限公司,未经积高电子(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920709761.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种光耦芯片SSR集成电路及平面型框架
- 下一篇:一种图像感测器封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





